LDTA144EET1 时间：2025/8/13 5:56:00 阅读：26

LDTA144EET1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），采用小型 SOT-23 封装，适用于便携式电子设备和信号处理电路中的通用开关与放大应用。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　封装类型：SOT-23
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：110~800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

LDTA144EET1 具备良好的高频性能和稳定的直流增益，适合用于低功耗和高频开关电路。其 SOT-23 小型封装使其适用于空间受限的便携式设备。该晶体管的 hFE 值范围较宽，用户可根据设计需求选择合适增益档位。此外，该器件具有较低的饱和压降，有助于提高电路效率并减少发热。LDTA144EET1 还具备良好的热稳定性和抗静电能力，适用于工业和消费类电子产品。
　　在使用过程中，LDTA144EET1 的设计允许其在低至 1.8V 的电源电压下工作，因此非常适合用于电池供电设备。其高频特性也使其适用于射频前端电路中的信号放大。此外，该晶体管的制造工艺确保了良好的一致性与可靠性，降低了设计复杂度并提高了生产良率。

应用

LDTA144EET1 主要应用于便携式电子设备中的信号放大、开关控制、逻辑电平转换以及射频前端模块。常见于无线通信设备、蓝牙模块、Wi-Fi 收发器、传感器接口电路、音频放大器前置级、LED 驱动电路以及各种低功耗嵌入式系统中。此外，该晶体管也常用于工业自动化设备中的信号处理与隔离电路，以及消费类电子产品如智能手表、无线耳机、智能卡读写器等对尺寸和功耗有较高要求的场景。