类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：60V
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大集电极功耗（Pc）：150mW
　　直流电流增益（hFE）：最小120（典型值可高达300）
　　过渡频率（fT）：最高可达11GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：S-Mini (SOT-789)
　　极性：NPN
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：70V

2SC4672L-B-AB3-R具备卓越的高频响应能力，其过渡频率（fT）最高可达11GHz，确保在高频放大电路中实现高效信号放大，尤其适用于UHF、VHF及微波频段的应用场景。该晶体管采用先进的芯片工艺，优化了载流子迁移路径，显著降低了寄生电容和电阻，从而有效提升了开关速度和频率响应性能。在小信号放大应用中，其直流电流增益（hFE）表现优异，典型值可达200以上，且在宽温度范围内保持稳定，确保系统在不同环境下的可靠运行。该器件具有较低的噪声系数，通常在1GHz频率下低于1.5dB，因此非常适合用于低噪声前置放大器等对信噪比要求高的场合。
　　热稳定性方面，2SC4672L-B-AB3-R采用了高导热材料和优化的内部结构设计，能够在较高功率密度下长时间工作而不发生热失效。其最大集电极功耗为150mW，配合良好的散热设计可在高温环境下持续运行。S-Mini封装不仅体积小巧，还具备优良的电气隔离性能和机械强度，增强了抗振动和冲击的能力，适用于移动通信设备和车载电子系统。此外，该封装形式支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，提高了制造效率和产品一致性。
　　器件的击穿电压参数表现出色，集电极-发射极电压（VCEO）可达60V，集电极-基极电压（VCBO）高达70V，使其在高压瞬态或浪涌条件下仍能保持安全工作，提升了系统的鲁棒性。该晶体管还具有较快的开关响应时间，适用于需要快速开启和关断的脉冲调制电路。由于其高度一致的电气特性，多个器件并联使用时也能保持良好的均流效果，适用于多管合成放大系统。整体而言，2SC4672L-B-AB3-R是一款高性能、高可靠性的射频晶体管，特别适合在小型化、高频化和高集成度的现代电子系统中使用。

2SC4672L-B-AB3-R主要用于高频小信号放大电路，常见于无线通信基础设施中的射频前端模块，如基站接收机、小型蜂窝设备和微波中继系统。它也广泛应用于卫星通信系统、GPS导航设备以及无线局域网（WLAN）中的低噪声放大器（LNA），用于增强微弱信号的接收灵敏度。在测试与测量仪器领域，该晶体管可用于构建高频信号放大链路，确保测试信号的完整性与准确性。此外，该器件适用于各类消费类电子产品中的射频模块，例如智能手机、平板电脑和物联网（IoT）终端设备中的射频识别（RFID）读写器和蓝牙/Wi-Fi收发单元。
　　在工业与军事应用中，2SC4672L-B-AB3-R可用于雷达系统、电子对抗设备和遥控遥测系统中的信号放大环节。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也适合部署在恶劣环境下的远程监控设备和航空航天电子系统。在有线电视（CATV）和光纤通信系统中，该晶体管可用于构建宽带放大器，以补偿长距离传输过程中的信号衰减。此外，它还可作为振荡器电路中的有源元件，用于生成稳定的高频载波信号。在科研实验平台中，该器件常被用于搭建原型射频电路，验证新型调制解调方案或天线阵列性能。总之，凭借其高频、低噪、高增益的综合优势，2SC4672L-B-AB3-R在多种涉及射频信号处理的高端电子系统中发挥着关键作用。

MMBT3904, 2SC3356, BFR92A, 2SC4733, MMBTH10