类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（典型值取决于测试条件）
　　增益带宽积（fT）：6GHz 典型值
　　噪声系数（NF）：0.8dB @ 1GHz, VCE = 3V, IC = 10mA
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2SC4649TLP晶体管具备卓越的高频性能，其增益带宽积（fT）高达6GHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，例如在UHF频段、微波前端模块及宽带通信系统中的应用。这种高fT值意味着该器件可以在GHz级别的频率下依然保持足够的电压增益，满足现代高频电子系统对带宽和速度的需求。该晶体管在1GHz工作频率下的噪声系数仅为0.8dB，在低偏置电流（如10mA）条件下仍能实现极低的噪声表现，这使得它在接收机前端、低噪声放大器（LNA）等对信噪比要求极高的场合中表现出色。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽泛（70至700），根据不同批次和工作电流具有良好的一致性，便于电路设计时进行增益预估与匹配。同时，其较低的寄生电容（如Cob典型值为0.7pF）有效减少了高频信号的衰减与相位失真，提升了整体电路的频率响应平坦度。2SC4649TLP采用SOT-89等紧凑型表面贴装封装，不仅节省空间，还具备较好的散热性能，适合自动化贴片生产流程。该封装形式也降低了引线电感，进一步增强了高频工作的稳定性。
　　在可靠性方面，2SC4649TLP经过严格的质量控制和老化测试，能够在-55°C到+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应恶劣环境下的工业与通信设备需求。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，适用于中等功率的小信号放大任务。此外，该器件具有良好的开关特性，上升时间与下降时间较短，可用于高速数字开关电路或脉冲放大器中。综合来看，2SC4649TLP凭借其高频率响应、低噪声、高增益和稳定可靠的性能，成为高频模拟电路设计中的优选三极管之一。

2SC4649TLP广泛应用于高频和射频电子系统中，尤其是在需要高增益、低噪声和良好频率响应的模拟信号放大场景。常见应用包括无线通信设备中的低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱射频信号，提升系统灵敏度。它也被用于有线电视（CATV）分配网络中的宽带放大模块，支持多频道信号的同时传输而不产生明显失真。此外，在光纤通信接收端的前置放大电路中，该晶体管可用于将光电二极管输出的小电流信号转换并放大为可用的电压信号。
　　在雷达系统、测试测量仪器以及广播发射设备中，2SC4649TLP常被用作中频或射频放大级的核心元件，因其能在数百MHz至数GHz频率范围内提供稳定的增益表现。其低噪声特性也使其适用于卫星通信终端、GPS接收机和移动基站射频前端设计。在消费类电子产品中，如高端音频设备的前置放大电路或高速数据接口的信号调理部分，该晶体管也能发挥其高保真放大能力。
　　由于其表面贴装封装形式，2SC4649TLP非常适合高密度印刷电路板（PCB）布局，广泛用于便携式通信终端、物联网（IoT）网关模块以及小型化无线传感器节点中。此外，该器件还可用于振荡电路、混频器和调制解调电路中的有源增益单元，支持多种模拟信号处理功能。其稳定的温度特性和长期工作可靠性也使其适用于工业控制、航空航天及汽车电子等对元器件品质要求较高的领域。

MMBT3904, 2SC3356, BFR92A, BFQ67