时间：2025/7/15 15:49:17
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2SK2165-01是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高频开关应用和功率放大电路中。该器件采用了先进的硅栅极工艺技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类功率电子设备。2SK2165-01采用TO-220封装形式，便于散热并提高器件在高功率条件下的可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（Vds）：60V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.35Ω
功率耗散（Pd）：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
2SK2165-01具有多项优异的电气和物理特性。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高系统效率并减少散热需求。
该MOSFET的最大漏极电压为60V，能够胜任中高电压应用，同时其最大连续漏极电流为10A，适用于多种中功率开关电路。
此外，2SK2165-01具备良好的热稳定性和高功率耗散能力（30W），确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该器件的栅极电压容限为±20V，具有较强的抗电压波动能力，适合用于各种复杂环境下的电子系统。
TO-220封装设计不仅便于安装和散热，还增强了器件在高功率操作下的耐用性。
2SK2165-01主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动电路、LED照明驱动器、高频开关电源以及各类消费类电子设备中的功率控制模块。
其高耐压能力和良好的导通性能也使其在工业控制设备、自动化系统和便携式电子产品中得到广泛应用。
由于其封装形式便于散热，该器件在需要长时间高功率运行的环境中表现出色，例如在电源适配器、功率放大器和电子负载管理单元中均有广泛使用。
2SK2165, 2SK2165-02, 2SK2165-Y, 2SK2165-BL
