类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCB）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：200mW
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=5mA）
　　增益带宽积：8GHz
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：S-Mini

2SC4521S-TD-E具备出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频放大电路和射频信号处理系统。在高频工作条件下，该晶体管能够保持较高的电流增益和稳定的增益带宽积，确保信号在GHz级别下仍能有效放大而不失真。这一特性使其成为无线通信前端模块、UHF/VHF调谐器、卫星接收设备等高频应用的理想选择。
　　该器件采用了优化的芯片结构设计，显著降低了寄生电容和内部电阻，从而提升了整体高频响应能力和开关速度。这种设计使得晶体管在高速开关应用中表现出色，能够快速响应输入信号的变化，减少信号延迟和上升/下降时间，适用于需要高精度时序控制的数字和模拟混合电路。
　　2SC4521S-TD-E具有宽范围的直流电流增益（hFE），典型值在70至700之间，且在不同工作电流下保持良好的一致性。这使得设计工程师可以在多种偏置条件下灵活调整电路参数，以达到最佳的放大效果或功耗平衡。同时，较高的hFE意味着可以用较小的基极电流驱动较大的集电极电流，提高了电路的效率和灵敏度。
　　该晶体管的噪声系数较低，在小信号放大应用中能够有效抑制背景噪声，提升信噪比，特别适用于音频前置放大器、低噪声放大器（LNA）等对信号纯净度要求较高的场合。其稳定的电气特性和良好的热稳定性确保在长时间运行或环境温度变化时仍能保持性能一致，增强了系统的可靠性。
　　此外，2SC4521S-TD-E采用小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，有助于缩小整机尺寸并提高组装效率。该封装还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内有效散发工作热量，避免因温升导致性能下降。综合来看，这款晶体管在高频性能、增益稳定性、低噪声和封装紧凑性方面实现了良好平衡，是现代高频电子系统中不可或缺的关键元件。

2SC4521S-TD-E广泛应用于高频小信号放大和高速开关电路中。常见用途包括电视和有线电视调谐器中的射频放大级，用于增强接收到的微弱电视信号，提高图像和声音质量。在无线通信系统中，它被用作低噪声放大器（LNA）的前置放大管，能够有效放大来自天线的微弱射频信号，同时引入极少的额外噪声，从而提升接收机的灵敏度和通信距离。
　　该器件也常用于宽带放大器模块，特别是在UHF（超高频）和VHF（甚高频）频段的应用中表现优异。例如，在卫星接收设备、FM收音机前端、无线麦克风接收器等产品中，2SC4521S-TD-E能够提供稳定的增益和良好的频率响应，确保信号传输的清晰度和稳定性。
　　在消费类电子产品中，如机顶盒、多媒体播放器、智能家居控制模块等，该晶体管可用于音频信号的前置放大，提升音质表现。此外，由于其快速的开关特性，也可用于高速数字逻辑电路中的信号整形和缓冲，或者在脉冲电路中作为高速开关元件使用。
　　工业控制和测量仪器中，2SC4521S-TD-E可用于传感器信号调理电路，将微弱的感应信号进行初步放大，以便后续处理。其高可靠性和宽温度适应性使其能在恶劣环境中稳定运行。总之，该晶体管凭借其高频、低噪、高增益的特点，成为众多高性能模拟和射频电路中的核心组件。

2SC4521S-TD