2SC4501L 时间：2025/9/7 13:13:55 阅读：5

2SC4501L 是一款由东芝（Toshiba）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），属于高频低噪声晶体管系列。该器件主要用于射频（RF）和中间频率（IF）放大应用，适用于通信设备、无线模块、音频放大器以及其他需要低噪声和高增益的电子电路。该晶体管采用小型表面贴装（SOT-23）封装，具有良好的高频响应和低噪声性能，适合在需要紧凑设计和高性能的电子设备中使用。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：110至800（根据等级不同）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　噪声系数（NF）：0.7dB（典型值）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V

特性

2SC4501L 的主要特性包括其低噪声系数和高电流增益，使其非常适合用于前置放大器和其他低噪声应用场景。该晶体管在高频下仍能保持良好性能，截止频率（fT）可达100MHz，因此适用于射频和中间频率放大器。其SOT-23封装形式节省空间，便于在现代电子设备中进行高密度布局。
　　该晶体管的hFE（电流增益）范围较宽，根据不同的等级划分，可提供110至800的增益能力，满足不同应用对放大倍数的需求。此外，其最大集电极电流为150mA，支持一定的功率输出能力，同时最大功耗控制在200mW以内，确保了良好的热稳定性和较低的功耗表现。
　　2SC4501L 的VCEO（集电极-发射极耐压）为50V，具有较强的电压承受能力，适合在中等电压环境下使用。结合其0.7dB的典型噪声系数，该器件在需要高灵敏度和低干扰的接收系统中表现出色。此外，其工作温度范围从-55°C到+150°C，保证了在各种环境条件下的稳定运行。

应用

2SC4501L 主要用于低噪声放大器（LNA）、射频接收器、无线通信模块、音频前置放大器以及各种中高频模拟电路中。由于其低噪声系数和良好的高频响应，它常用于无线基站、卫星通信设备、便携式无线电设备和消费类电子产品中的信号放大环节。此外，该晶体管也适用于需要较高增益和低失真的音频放大应用，如麦克风前置放大器和小型音频放大模块。