类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：最高可达1GHz
　　电流增益（hFE）：在2kHz下为70-700（具体数值依赖于工作电流）
　　噪声系数：通常为1.5dB或更低
　　封装类型：SOT-23或类似微型封装

2SC3878晶体管具有多个显著的电气和物理特性，使其在高频应用中表现出色。
　　首先，2SC3878具有良好的高频响应能力，能够在高达1GHz的频率范围内稳定工作。这使其非常适合用于射频放大器、混频器和振荡器等高频电路。高频性能的优化主要依赖于晶体管内部结构的设计，如较短的基区宽度和较低的寄生电容，从而减少了高频信号的衰减和失真。
　　其次，该晶体管具有较低的噪声系数，通常为1.5dB或更低。这一特性使得2SC3878在低噪声放大器（LNA）中表现出色，能够有效放大微弱信号而不引入过多噪声，适用于通信接收器前端等对噪声敏感的应用。
　　此外，2SC3878的电流增益范围较宽，根据不同的工作条件，hFE可以在70到700之间变化。这使得该晶体管能够适应不同的电路设计需求，既可以用于小信号放大，也可以用于中等功率的信号处理。
　　其SOT-23封装形式不仅减小了整体尺寸，还提供了良好的高频性能。这种封装减少了引线电感，有助于在高频应用中保持稳定的性能。同时，SOT-23封装也便于自动化装配，适用于现代表面贴装工艺（SMT）制造流程。
　　最后，2SC3878晶体管具有较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使得它适用于工业级和商业级电子设备，特别是在环境条件较为苛刻的应用中。

2SC3878晶体管广泛应用于高频电子电路中，特别是在射频（RF）和中频（IF）放大器、低噪声放大器（LNA）、混频器、振荡器和射频开关等电路中。由于其低噪声系数和高增益特性，2SC3878常用于通信设备的接收端，如无线通信基站、Wi-Fi模块、蓝牙模块和射频识别（RFID）系统。
　　在射频放大器设计中，2SC3878可以作为前置放大器，用于放大天线接收到的微弱信号，以提高接收灵敏度。在混频器电路中，该晶体管可用于将射频信号转换为中频信号，以便后续处理。此外，2SC3878还可以用于射频振荡器，提供稳定的本地振荡信号，满足无线通信系统的频率合成需求。
　　除了通信领域，2SC3878还广泛应用于测试仪器、传感器接口和射频测量设备中，作为高频信号处理的关键元件。

2SC3878的替代型号包括2SC4081、BFQ59、BFQ67、2N5179和NE85633。