您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 8:15:04 查看 阅读:31

2SC3647S-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型双极性晶体管,适用于高频放大和开关应用。该晶体管采用小型表面贴装(S-Mini)封装,适合现代电子设备中空间受限的设计。其高频性能使其成为射频(RF)和无线通信电路的理想选择。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  封装类型:S-Mini
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大基极电流(Ib):5mA
  耗散功率(Pc):100mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级)

特性

2SC3647S-TD-E晶体管具有优异的高频响应能力,适合用于射频放大器和高速开关电路。该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,可适应不同设计需求。其S-Mini封装不仅节省空间,还提供良好的热性能,确保在高频率工作时的稳定性。此外,该器件具有较低的饱和压降,有助于减少功率损耗,提高电路效率。2SC3647S-TD-E的高耐压特性(Vce为50V)使其在需要较高电压操作的应用中表现良好。
  该晶体管的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,适用于工业和汽车电子系统等苛刻环境。其封装设计符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,符合环保要求。此外,该晶体管的高可靠性使其在长期运行的设备中表现优异,减少维护和更换频率。

应用

2SC3647S-TD-E常用于射频(RF)放大器、无线通信设备、高速开关电路、音频放大器以及工业控制系统。在消费类电子产品中,该晶体管可用于无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、传感器接口电路和小型化电子设备中的信号放大和处理。此外,该器件还适用于汽车电子系统,如车载通信模块和传感器信号调节电路。

替代型号

2N3904, BC547, 2SC2222A

2SC3647S-TD-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2SC3647S-TD-E资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

2SC3647S-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)