时间：2025/5/15 16:10:12
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202R18N220KV4E 是一款高压功率场效应晶体管（MOSFET），属于 N 沟道增强型器件。该型号主要设计用于高电压应用场合，例如开关电源、逆变器和电机驱动等领域。它具有低导通电阻、快速开关特性和较高的耐压能力，能够有效提升系统效率并减少能量损耗。
该器件采用先进的半导体制造工艺，在保证性能的同时也提高了可靠性，适合在恶劣的电气环境下工作。
最大漏源电压：2200V
连续漏极电流：18A
导通电阻：202mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：250pF
功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
202R18N220KV4E 的显著特点是其高耐压能力，能够在高达 2200V 的漏源电压下正常工作，同时具备较低的导通电阻以减少传导损耗。此外，其快速开关速度使得它非常适合高频应用，能够降低开关损耗。
该器件还具有良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能表现。另外，它的封装设计优化了散热性能，进一步增强了器件的可靠性。
在保护功能方面，这款 MOSFET 内置了雪崩击穿保护机制，可以承受一定程度的能量冲击而不损坏，从而提升了整体系统的安全性。
该型号广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 光伏逆变器
3. 工业电机驱动
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 高压 DC-DC 转换器
6. 不间断电源（UPS）系统
由于其出色的电气特性和可靠性，202R18N220KV4E 成为了许多高压应用场景中的理想选择。
FFH18N120B
IRG4PC30KD
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FDP18N65A
