类型：NPN型BJT晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50V
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-457
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　噪声系数（NF）：0.8dB（典型值）
　　过渡频率（fT）：250MHz

2SC2620QB2-02TL晶体管具备优异的高频性能，能够在高达250MHz的频率下稳定工作，使其适用于射频和中间频率放大电路。该晶体管的低噪声系数（典型值为0.8dB）有助于在信号链的前端放大微弱信号，减少噪声干扰，提高系统灵敏度。
　　其表面贴装封装（SOT-457）不仅节省空间，还便于自动化生产和高密度PCB布局，适用于便携式电子设备和通信模块。此外，晶体管的高可靠性使其能够在各种环境条件下稳定运行，如温度范围较宽的工业控制系统。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，允许用户根据具体应用选择合适的增益等级，从而优化电路性能。此外，2SC2620QB2-02TL具备较低的输入电容，有助于减少高频信号的衰减和失真，提高信号完整性。
　　晶体管的热阻较低，有助于在高功率应用中有效散热，延长器件的使用寿命。同时，其低功耗特性也适用于电池供电设备，有助于延长电池续航时间。

2SC262620QB2-02TL晶体管广泛应用于射频和中间频率放大器电路，例如无线通信设备、接收机前端、射频信号增强器等。在这些应用中，该晶体管能够有效地放大微弱信号，并保持较低的噪声水平，确保信号质量。
　　此外，它还适用于低噪声前置放大器的设计，常用于音频放大器和测试测量设备中，以提高信号的清晰度和准确性。由于其良好的开关性能，该晶体管也可用于数字开关电路、LED驱动电路以及传感器接口电路。
　　在工业控制和自动化系统中，2SC2620QB2-02TL可用于信号处理和放大任务，支持各种传感器和执行器的高效运行。另外，由于其紧凑的封装，该晶体管非常适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的射频模块和传感器接口。

2SC3355, 2N3904, BFQ54, BC847