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2SB315B-2MBI800U4G-170 发布时间 时间:2025/8/6 21:14:38 查看 阅读:24

2SB315B-2MBI800U4G-170 是一种功率模块,通常用于高功率应用中,如工业电机驱动、逆变器和电源系统。该模块包含多个半导体器件,例如IGBTs或双极型晶体管,用于高效地控制电流和电压。

参数

类型:功率模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):1700V
  最大集电极电流(Ic):800A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:双列直插式封装(DIP)或类似高功率封装
  短路耐受能力:具有一定的短路耐受能力
  导通压降:低导通压降以提高效率

特性

2SB315B-2MBI800U4G-170功率模块具有良好的热性能和电气性能,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其设计采用了先进的封装技术,确保了模块在高温环境下的可靠性。此外,该模块还具有较低的导通压降,从而减少了能量损耗并提高了整体效率。由于其高集成度,该模块可以简化电路设计并减少外部元件的数量。模块内部通常包含多个器件,如IGBTs或双极型晶体管,这些器件并联或串联配置以满足特定的应用需求。此外,该模块还具备较好的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这使得2SB315B-2MBI800U4G-170适用于需要高可靠性和高稳定性的工业应用场合。

应用

2SB315B-2MBI800U4G-170广泛应用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、太阳能逆变器以及其他高功率电子设备中。它能够提供高效的功率转换和可靠的电路保护,是许多工业和电力电子系统中的关键组件。

替代型号

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2SB315B-2MBI800U4G-170参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电0V ~ 16V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)-
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块