时间：2025/12/25 10:47:36
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2SB1694T106是一款由东芝（Toshiba）公司生产的P沟道功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽式场效应技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于多种电子设备中的负载开关、逆变器电路以及DC-DC转换器等应用场景。其封装形式为SOP-8（表面贴装），有助于减小PCB占用面积并提升组装效率。该MOSFET专为高效率和低功耗设计而优化，在便携式电子产品和工业控制领域中表现出色。
2SB1694T106的栅极驱动电压范围适中，支持逻辑电平输入，能够直接与微控制器或其他数字信号源接口，无需额外的电平转换电路。这种特性使其在电池供电系统中特别受欢迎。此外，器件具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。通过合理的设计，可以实现高效的能量转换和可靠的长期运行。
型号：2SB1694T106
极性：P沟道
最大漏源电压（Vds）：-30V
最大连续漏极电流（Id）：-4.4A
导通电阻Rds(on)：45mΩ（@Vgs=-10V）；60mΩ（@Vgs=-4.5V）
栅源阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.5V
栅源电压最大值（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：1.5W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8
安装方式：表面贴装（SMT）
通道数：单通道
2SB1694T106采用了东芝先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。在Vgs = -10V时，其典型Rds(on)仅为45mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件下（如Vgs = -4.5V），仍可维持在60mΩ以下，这对于需要低电压驱动且追求高效能的应用至关重要。该器件的低导通电阻不仅有助于减少发热，还能允许更高的电流承载能力，提升系统的输出能力和稳定性。
该MOSFET具备优良的开关特性，包括快速的开启和关断时间，这使得它非常适合高频开关操作，例如在同步整流或DC-DC降压/升压变换器中使用。同时，其输入电容较小，降低了驱动电路所需的瞬态电流，减轻了控制器负担。此外，2SB1694T106具有较强的抗噪声干扰能力，栅极氧化层经过优化处理，提升了器件的耐久性和长期可靠性。器件还内置了一定程度的静电放电（ESD）保护机制，能够在一定程度上抵御生产、运输和使用过程中的静电冲击。
从热管理角度来看，SOP-8封装虽然体积紧凑，但通过合理的PCB布局（如增加铜箔面积或使用散热焊盘），可以有效传导热量，确保结温不会超出安全范围。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。另外，其引脚排列兼容市场上许多同类产品，便于替换和升级。综合来看，2SB1694T106是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，广泛应用于移动设备电源管理、电池保护电路、电机驱动模块等领域。
2SB1694T106主要应用于各类需要高效电源控制和低功耗管理的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电池供电切换电路。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由3.3V或5V微处理器GPIO引脚控制，因此在嵌入式系统中常被用作负载开关或电源路径管理元件。
在工业控制领域，该器件可用于继电器替代方案、小型电机驱动电路或传感器供电控制，实现无触点开关以提高寿命和响应速度。此外，在DC-DC转换器拓扑结构中，特别是同步整流型降压或反激式电源中，2SB1694T106可作为上桥臂或下桥臂开关使用，帮助提升转换效率并降低系统发热量。
其他应用还包括LED驱动电源、USB充电控制电路、热插拔电源管理模块以及各种需要过流保护和软启动功能的电源管理系统。其高集成度和表面贴装封装也使其适用于自动化贴片生产线，适合大规模量产。得益于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件也可用于环境较为严苛的车载电子辅助系统或通信设备电源模块中。
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"2SB1694",
"TPC8103",
"Si3463DV",
"FDMS7682",
"AO3401A"
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