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2SB1386T100Q 发布时间 时间:2025/4/29 10:45:55 查看 阅读:3

2SB1386T100Q 是一款双极性 NPN 晶体管,属于 Toshiba 公司的高速开关晶体管系列。该器件主要应用于高频、高速开关电路和脉宽调制(PWM)逆变器等场景。其设计特点在于具备低饱和电压和高电流增益,同时能够支持较高的工作频率。这款晶体管在工业设备、消费电子以及汽车电子领域有着广泛的应用。

参数

集电极-发射极电压:100V
  集电极电流:15A
  直流电流增益(hFE):最小值为 100
  过渡频率(fT):200MHz
  功耗:180W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

2SB1386T100Q 是一款高性能的 NPN 双极性晶体管,具有以下显著特性:
  1. 高速开关性能:由于其高过渡频率(200MHz),使得该晶体管非常适合用于高频应用环境。
  2. 低饱和电压:此晶体管在饱和状态下展现出较低的电压降,有助于提高系统的效率并减少发热。
  3. 大电流承载能力:额定集电极电流高达 15A,使其能够驱动较大负载。
  4. 宽温度范围操作:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内稳定运行,适应各种恶劣的工作条件。
  5. 高可靠性:采用先进的制造工艺,确保长时间使用下的稳定性和耐用性。

应用

2SB1386T100Q 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
  2. PWM 逆变器和电机驱动电路。
  3. 高频放大器和振荡器。
  4. 工业自动化设备中的信号处理与功率管理。
  5. 汽车电子系统中的点火控制和传感器接口电路。

替代型号

2SB1466T100Q
  2SC5495T100Q

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2SB1386T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 100mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SB1386T100Q-ND2SB1386T100QTR