2SB1386T100Q 是一款双极性 NPN 晶体管,属于 Toshiba 公司的高速开关晶体管系列。该器件主要应用于高频、高速开关电路和脉宽调制(PWM)逆变器等场景。其设计特点在于具备低饱和电压和高电流增益,同时能够支持较高的工作频率。这款晶体管在工业设备、消费电子以及汽车电子领域有着广泛的应用。
集电极-发射极电压:100V
集电极电流:15A
直流电流增益(hFE):最小值为 100
过渡频率(fT):200MHz
功耗:180W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
2SB1386T100Q 是一款高性能的 NPN 双极性晶体管,具有以下显著特性:
1. 高速开关性能:由于其高过渡频率(200MHz),使得该晶体管非常适合用于高频应用环境。
2. 低饱和电压:此晶体管在饱和状态下展现出较低的电压降,有助于提高系统的效率并减少发热。
3. 大电流承载能力:额定集电极电流高达 15A,使其能够驱动较大负载。
4. 宽温度范围操作:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内稳定运行,适应各种恶劣的工作条件。
5. 高可靠性:采用先进的制造工艺,确保长时间使用下的稳定性和耐用性。
2SB1386T100Q 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. PWM 逆变器和电机驱动电路。
3. 高频放大器和振荡器。
4. 工业自动化设备中的信号处理与功率管理。
5. 汽车电子系统中的点火控制和传感器接口电路。
2SB1466T100Q
2SC5495T100Q