时间：2025/7/22 12:18:51
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2SB1386T100/QR 是一款由东芝（Toshiba）制造的PNP型双极性晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用了先进的制造工艺，具有优异的高频特性和低噪声性能，适用于无线通信设备、射频放大器和其他高频电路。
类型：PNP型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：100mW
频率范围：最高可达100MHz
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
封装形式：SOT-23
2SB1386T100/QR 晶体管具有多个显著的电气特性，使其在高频和低噪声应用中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，使其能够处理较高的电压和电流，适用于多种电路设计。其次，其增益带宽积（fT）高达100MHz，使得该晶体管非常适合高频放大器和射频电路的应用。
此外，2SB1386T100/QR 提供了不同的电流增益等级（hFE），从110到800不等，允许工程师根据具体需求选择合适的晶体管。其低噪声特性也使其在射频接收器前端电路中表现出色，有助于提高系统的整体信号质量。
在封装方面，该晶体管采用SOT-23封装，体积小且易于安装，适用于高密度PCB设计。SOT-23封装还具有良好的热稳定性和机械强度，适合工业级和消费类电子设备的应用。
2SB1386T100/QR 主要用于高频放大电路、射频信号放大器、低噪声前置放大器、开关电路以及各种便携式电子设备中的模拟电路部分。此外，该晶体管也广泛应用于无线通信设备、音频放大器、射频模块和传感器电路中，提供稳定可靠的放大和开关功能。
2SB1386T100, 2SB1386Q
