类型：P沟道
　　晶体管极性：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极功耗（PC）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：最小120，最大800（测试条件：IC = 2mA, VCE = 5V）
　　过渡频率（fT）：典型值200MHz
　　集电极-基极截止电流（ICBO）：最大值0.1μA（VEO = 50V, Ta = 25°C）
　　发射极-基极截止电流（IEBO）：最大值0.1μA（VEC = 5V, Ta = 25°C）
　　饱和电压（VCE(sat)）：典型值0.1V（IC = 10mA, IB = 1mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-457（SS-MINI）

2SB1386L-R-AB3-R具备优异的直流电流增益（hFE）特性，能够在低至2mA的集电极电流下提供120至800的宽幅增益范围，这使得它在小信号放大电路中表现出色。这种高且稳定的电流增益确保了电路设计中的线性度和稳定性，尤其适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路以及微弱信号检测系统。
　　该器件具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在IC = 10mA、IB = 1mA条件下典型值仅为0.1V，这意味着在作为开关使用时能够有效降低导通损耗，提高整体系统的能效表现。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　高频特性方面，2SB1386L-R-AB3-R的过渡频率（fT）典型值达到200MHz，表明其在高频信号处理应用中也具备良好响应能力，可支持射频或高速数字开关操作。尽管主要定位为通用用途晶体管，但其频率响应足以胜任大多数中频放大与调制任务。
　　SOT-457小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。此外，该封装具有较低的寄生电感和电容，有利于提升高频工作的稳定性。
　　器件在整个工作温度范围内（-55°C 至 +150°C）均保持稳定性能，适用于工业级和汽车级环境下的可靠运行。同时，产品经过严格的质量控制和可靠性测试，确保长期使用的耐用性。其符合RoHS标准的设计也满足现代电子产品对环保材料的要求。

2SB1386L-R-AB3-R广泛应用于各类消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，常用于LCD背光驱动、电源开关控制、逻辑电平转换以及电池管理系统中的信号通断控制。
　　在便携式电子设备中，该晶体管常被用作低功耗负载开关，通过微控制器输出信号来控制外围模块的供电，从而实现节能目的。例如，在蓝牙耳机或智能手环中，可用于开启或关闭传感器、无线通信模块等子系统。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器的反馈回路或驱动级电路，特别是在升压或降压拓扑结构中作为辅助开关元件。其快速的开关响应能力和低饱和压降有助于提升电源转换效率。
　　在工业控制领域，2SB1386L-R-AB3-R可用于继电器驱动、LED指示灯控制、光电耦合器接口电路等场景，发挥其可靠的开关功能。
　　由于其高增益和低噪声特性，该晶体管也可用于前置放大电路，例如麦克风信号放大、生物电信号采集等微弱信号处理场合。总体而言，其多功能性使其成为许多嵌入式系统和混合信号电路中的关键组件。

2SB1386R, KST92-P, MMBT3906, BC857B, FMMT718