类型：PNP
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极最大持续电流（IC）：150mA
　　总功耗（Pc）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　直流电流增益（hFE）：70 至 700（测试条件IC = 2mA, VCE = 5V）
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　饱和电压-集电极-发射极（VCE(sat)）：≤0.3V（典型值，IC = 10mA, IB = 1mA）
　　饱和电压-基极-发射极（VBE(sat)）：≤0.75V（典型值，IC = 10mA, IB = 1mA）

2SB1340晶体管具备多项优良的电气和物理特性，使其在众多通用电子应用中表现出色。
　　首先，该器件拥有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO=50V），这使得它可以在相对较高的电压环境下安全运行，适用于多种低压电源系统中的开关与放大任务。其最大集电极电流为150mA，能够驱动中小型负载，例如继电器线圈、LED指示灯或小型蜂鸣器等，满足大多数低功率应用场景的需求。
　　其次，2SB1340的直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值介于70至700之间，具体数值取决于工作电流水平。这种宽范围的增益特性允许设计者根据实际电路需求选择合适的工作点，从而优化放大器的线性度或开关响应速度。同时，高增益也意味着可以用较小的基极驱动电流控制较大的集电极电流，提高了电路的能效比。
　　再者，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.3V），在用作开关时可显著减少导通损耗，提升系统的整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　此外，2SB1340的过渡频率（fT）达到80MHz，表明其在高频信号处理方面也有一定的能力，可用于音频放大、射频前端缓冲级或中频信号处理等场合。虽然不是专为高频设计的射频晶体管，但在一般宽带放大应用中仍具备良好表现。
　　最后，该器件采用标准TO-92封装，体积小巧，易于手工焊接和自动化装配，兼容性强，适合大规模生产。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保在恶劣环境条件下仍能稳定工作，提升了系统的环境适应性和长期可靠性。

2SB1340因其优异的电气特性和高可靠性，被广泛应用于多种电子电路中。
　　在模拟电路领域，它常被用作小信号放大器，特别是在音频前置放大、传感器信号调理和运算放大器输入级等场合。由于其较高的电流增益和良好的线性特性，能够有效放大微弱信号而不引入过多失真，适合用于麦克风放大器、光电检测电路或温度传感接口等精密模拟前端。
　　在数字与开关电路中，2SB1340常作为低侧或高侧开关使用，用于控制LED、小型继电器、电机或加热元件等负载。其较低的饱和压降和快速的开关响应能力使其在脉宽调制（PWM）驱动、电源切换和逻辑电平转换电路中表现出色。例如，在微控制器输出驱动不足时，可通过2SB1340进行电流放大，实现对外部设备的有效控制。
　　此外，该晶体管还常见于稳压电源电路中，作为串联调整管或反馈控制元件的一部分，帮助维持输出电压的稳定性。在恒流源电路中，也可利用其电流控制特性构建简易的LED驱动或偏置电路。
　　由于其封装小巧且成本低廉，2SB1340也广泛用于消费类电子产品，如家用电器控制板、玩具电子、充电器保护电路、智能仪表和遥控装置等。同时，由于其参数稳定、供货充足，也成为教育实验和原型开发中的常用元件之一，适用于学生实验、电子竞赛和DIY项目。
　　值得一提的是，2SB1340常与互补型NPN晶体管（如2SD1406或2SCxxxx系列）配对使用，构成推挽输出级或达林顿对管结构，以增强驱动能力和改善动态响应性能。这种组合在音频输出级、电机驱动桥臂和高速开关电路中尤为常见。

2N3906
　　BC557
　　BC558
　　KSP2907A
　　MMBT3906
　　FMMT718