时间：2025/5/12 20:26:13
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GA0805H223KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源管理、电机驱动和负载开关等应用领域。
其封装形式通常为行业标准的小型化表面贴装封装，适合高密度电路板布局。此外，该器件还具备优异的热性能和电气特性，能够在广泛的电压和电流范围内保持稳定的性能。
型号：GA0805H223KBABR31G
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
额定电压（Vds）：40V
额定电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，25°C）
栅极电荷（Qg）：22nC（最大值）
输入电容（Ciss）：1700pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56E
1. 低导通电阻确保高效能量转换，减少发热损耗。
2. 高开关速度支持高频操作，满足现代电源设计需求。
3. 具备强大的抗浪涌能力，提高系统可靠性。
4. 小型化的封装设计节省电路板空间，便于紧凑型产品开发。
5. 支持宽广的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用需求。
6. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提升安全性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. 汽车电子设备中的电源管理和信号切换。
6. 工业自动化控制和通信电源解决方案。
GA0805H222KBABR31G
IRF7759
AO3400
