型号：2SB1260G-P-AA3-R
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ（@ VGS = -4.8V）
　　导通电阻(RDS(on))：19mΩ（@ VGS = -5V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：570pF（@ VDS = 10V）
　　输出电容(Coss)：150pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容(Crss)：30pF（@ VDS = 10V）
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC（@ VGS = -5V）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini (SMT3)
　　安装类型：表面贴装
　　极性：P沟道
　　功耗(Pd)：1W（@ Ta=25°C）

2SB1260G-P-AA3-R具备卓越的低导通电阻特性，在VGS=-5V条件下RDS(on)低至19mΩ，显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了整体电源转换效率。其采用Rohm独有的Trench MOS结构，通过优化单元布局和掺杂分布，提升了载流子迁移率并减少了JFET效应的影响，使得器件在高频开关操作下仍能保持稳定性能。
　　该器件具有良好的热稳定性，得益于S-Mini封装的小型化设计与高效的散热路径，即使在高功率密度环境下也能维持较低的结温上升。此外，其输入电容（Ciss）仅为570pF，配合8.5nC的栅极电荷（Qg），使其在开关电源和负载开关应用中具备快速响应能力，有助于减少开关损耗并提升系统动态响应速度。
　　阈值电压范围控制在-1.0V至-2.0V之间，确保了良好的栅极驱动兼容性，尤其适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的场合。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和稳健的ESD防护设计，增强了在瞬态过压和静电放电情况下的可靠性。其符合AEC-Q101标准，意味着该器件经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，适用于车载信息娱乐系统、车身电子模块等对可靠性要求极高的应用场景。
　　此外，2SB1260G-P-AA3-R的封装尺寸紧凑（典型尺寸约1.6mm x 1.6mm x 0.55mm），非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等追求轻薄化的终端产品中。其无铅且符合RoHS规范的设计也满足现代电子产品对环保法规的要求。整体而言，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸、可靠性和环保方面达到了高度平衡，是中小功率电源管理领域的理想选择。

2SB1260G-P-AA3-R广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电切换与保护电路，作为高端负载开关控制主电源通断，利用其低导通电阻减少压降和发热。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用于同步整流或上桥臂开关，提高转换效率并降低能耗。此外，它也被用于电机驱动电路中，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动拓扑中作为P沟道侧的开关元件，实现精确的正反转控制。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和智能手表中，2SB1260G-P-AA3-R常被用于电源路径管理、多电源选择开关以及背光LED驱动电路。其快速开关能力和低栅极电荷特性使其适合PWM调光等高频操作场景。在工业控制系统中，该器件可用于传感器供电控制、继电器驱动接口以及PLC模块中的信号切换功能。
　　由于其通过AEC-Q101认证，因此也适用于汽车电子应用，例如车载摄像头电源管理、车内照明控制、HVAC系统风扇驱动以及车门模块中的电机控制。在这些应用中，器件需承受宽温范围和振动冲击，而2SB1260G-P-AA3-R凭借其高可靠性和热稳定性表现出色。此外，在无人机、机器人和IoT设备中，该MOSFET可用于电池充放电管理、外设电源使能控制等功能模块，帮助延长续航时间并提升系统能效。总之，该器件凭借其高性能与小尺寸优势，已成为现代电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

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　　 "2SB1260G-P-AE3-R",
　　 "DMG2305UX",
　　 "SI2301ADS-S17-AY",
　　 "FMMT718K",
　　 "AO3401A"
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