时间：2025/5/7 14:35:33
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2SB1260-R是一种双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），主要用于开关和放大应用。它属于硅制NPN型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，包括信号放大、功率驱动和开关控制等场景。
该型号的晶体管以高增益和稳定性著称，适用于需要快速响应和低噪声的场合。由于其出色的电气性能，2SB1260-R在工业控制、通信设备及家用电器等领域得到了广泛应用。
集电极-发射极电压（Vce）：80V
集电极电流（Ic）：15A
直流电流增益（hFE）：最小值30，典型值100
最大耗散功率（Ptot）：150W
过渡频率（fT）：10MHz
存储温度范围：-55℃至+150℃
工作结温范围：-55℃至+150℃
2SB1260-R具有较高的集电极-发射极击穿电压，能够承受高达80V的工作电压，适合高压环境下的应用。
此外，其大电流能力（15A）使它能够在功率驱动电路中表现优异。
晶体管的直流电流增益（hFE）处于较高水平，确保了优秀的放大性能和灵敏度。
同时，10MHz的过渡频率保证了其在高频电路中的良好表现。
器件设计坚固耐用，可在极端温度条件下稳定运行，适应范围从-55℃到+150℃。
2SB1260-R常用于以下应用场景：
1. 工业控制系统中的功率放大器和驱动器
2. 通信设备中的信号放大与调制电路
3. 家用电器中的电机控制和电源管理模块
4. 音频设备中的音频信号放大器
5. 汽车电子中的负载切换和驱动电路
6. 开关电源（SMPS）和逆变器中的关键组件
7. 一般用途的模拟和数字电路中的开关或放大元件
2SC5221, 2N3055
