型号：2SB1189T100Q
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：37mΩ（Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：47mΩ（Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：920pF（Vds=15V）
　　开关时间（开启/关闭）：约15ns / 45ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini (UMCP6)

2SB1189T100Q的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在Vgs = -10V时仅为37mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长续航时间并减少发热问题。低Rds(on)还意味着可以在高电流条件下维持较低的温升，从而增强器件的长期可靠性。该特性得益于东芝先进的沟槽式MOSFET工艺，通过优化芯片结构和掺杂分布，最大限度地减小了载流子传输路径的电阻。同时，器件在Vgs = -4.5V时仍能保持47mΩ的低导通电阻，说明其在中等栅压下依然具备出色的导通能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了外围电路设计。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。2SB1189T100Q具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss = 920pF），这使得它能够快速响应栅极驱动信号，实现高速开关操作。开启时间约为15ns，关闭时间约为45ns，适合高频PWM调制应用，如DC-DC降压变换器或同步整流电路。快速开关不仅提高了电源转换效率，还有助于减小滤波元件的体积，进一步缩小电源模块的整体尺寸。此外，器件的输出电容（Coss）也经过优化，减少了开关过程中的能量损耗，避免了不必要的热量积累。
　　热稳定性方面，2SB1189T100Q采用高导热性的封装材料和内部结构设计，确保热量能有效从芯片传递到PCB。其最大工作结温可达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适应各种严苛环境条件。封装形式为S-Mini（UMCP6），尺寸紧凑，适合高密度贴装，且引脚布局合理，便于散热设计和自动焊接工艺。该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力和过压耐受性，增强了在实际应用中的鲁棒性。综合来看，这些特性使其成为现代高效、小型化电源系统中的优选器件。

2SB1189T100Q广泛应用于需要高效电源管理的电子系统中，尤其是在便携式设备和嵌入式电源模块中表现突出。一个典型应用场景是作为高端开关用于同步降压型DC-DC转换器中，配合N沟道MOSFET构成双管同步整流结构，取代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。由于其P沟道特性，无需复杂的自举电路即可实现高端驱动，简化了电源设计复杂度，特别适用于输入电压不高（如5V或12V）的小功率电源系统。
　　在电池供电设备中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源，2SB1189T100Q常被用作负载开关或电源路径控制器，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔管理。其低静态电流和快速响应能力有助于延长电池寿命并提升用户体验。此外，在电机驱动、LED驱动和电源冗余切换电路中，该器件也能发挥其高可靠性与快速开关的优势。
　　工业控制领域中，2SB1189T100Q可用于继电器替代方案、I/O开关模块或PLC输出级，提供无触点、长寿命的电子开关功能。其表面贴装封装便于自动化生产，适用于大批量制造。通信设备中的电源管理单元、网络路由器和光模块供电系统也常采用此类高性能P沟道MOSFET以实现紧凑而高效的电源架构。总之，凡是需要小型化、高效率、高可靠性的电源开关场合，2SB1189T100Q都是一种极具竞争力的选择。

TPSI2140-Q1
　　FDMS7682
　　BSC130P03LS