2SB1188T100Q 是一种高性能的功率晶体管,属于双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT) 系列。该器件专为高电压和大电流应用设计,常用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。
这种型号采用了先进的封装技术,确保其具备良好的散热性能和可靠性。2SB1188T100Q 的主要特点是能够承受较高的集电极-发射极电压,并支持较大的集电极电流,同时具备较低的饱和电压以减少功率损耗。
集电极-发射极电压:1500V
集电极电流:16A
功耗:300W
增益(hFE):10~40
过渡频率:2MHz
结温范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-247
2SB1188T100Q 具有以下关键特性:
1. 高耐压能力,适用于高压工业场景。
2. 大电流承载能力,适合驱动高负载设备。
3. 较低的饱和电压,从而提高效率并降低热损耗。
4. 快速开关性能,支持高频工作环境。
5. 高可靠性设计,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
6. 使用 TO-247 封装,提供出色的散热效果。
该晶体管广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换部分。
2. 工业逆变器及变频器的核心组件。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 能量存储系统中的充放电控制模块。
5. 不间断电源(UPS)系统的功率管理单元。
2SD1188T100Q
K1188T100Q
MJE1188T100Q