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2SB1188T100Q 发布时间 时间:2025/5/23 1:36:52 查看 阅读:2

2SB1188T100Q 是一种高性能的功率晶体管,属于双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT) 系列。该器件专为高电压和大电流应用设计,常用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。
  这种型号采用了先进的封装技术,确保其具备良好的散热性能和可靠性。2SB1188T100Q 的主要特点是能够承受较高的集电极-发射极电压,并支持较大的集电极电流,同时具备较低的饱和电压以减少功率损耗。

参数

集电极-发射极电压:1500V
  集电极电流:16A
  功耗:300W
  增益(hFE):10~40
  过渡频率:2MHz
  结温范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-247

特性

2SB1188T100Q 具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力,适用于高压工业场景。
  2. 大电流承载能力,适合驱动高负载设备。
  3. 较低的饱和电压,从而提高效率并降低热损耗。
  4. 快速开关性能,支持高频工作环境。
  5. 高可靠性设计,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
  6. 使用 TO-247 封装,提供出色的散热效果。

应用

该晶体管广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换部分。
  2. 工业逆变器及变频器的核心组件。
  3. 电机驱动电路中的开关元件。
  4. 能量存储系统中的充放电控制模块。
  5. 不间断电源(UPS)系统的功率管理单元。

替代型号

2SD1188T100Q
  K1188T100Q
  MJE1188T100Q

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2SB1188T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)800mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SB1188T100QTR