型号：2SB1188G-P
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A（@ Vgs = -10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ（@ Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：900pF（@ Vds = 15V）
　　输出电容（Coss）：600pF（@ Vds = 15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ Vds = 15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP

2SB1188G-P具备优异的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件的Rds(on)典型值仅为27mΩ（在Vgs = -10V条件下），这意味着在大电流通过时产生的功率损耗极低，从而显著提升系统整体能效。对于电池供电设备而言，这种低损耗特性有助于延长续航时间，减少发热问题。同时，在Vgs = -4.5V时仍能保持35mΩ的低导通电阻，表明其在较低驱动电压下依然具备良好的导通能力，适用于3.3V或5V逻辑控制系统，无需额外的电平转换电路即可实现有效控制。
　　该MOSFET采用东芝专有的沟槽结构设计，优化了载流子流动路径，提高了单位面积下的电流密度，同时降低了寄生参数的影响。输入电容Ciss为900pF，输出电容Coss为600pF，Crss仅为50pF，这些电容参数保证了器件在高频开关应用中的快速响应能力，减少了开关过程中的能量损耗，提升了转换效率。开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为25ns，展现出出色的动态响应特性，适合用于高达数百kHz甚至更高频率的开关电源拓扑结构。
　　在可靠性方面，2SB1188G-P的最大漏源电压为-30V，能够承受瞬态过压冲击，增强了系统鲁棒性。其栅极氧化层设计可耐受±20V的栅源电压，防止因误操作或噪声干扰导致的栅极击穿。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端温度环境下的稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品的严苛使用条件。此外，SOP封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，配合PCB上的敷铜设计可进一步增强热传导效果，避免局部过热引发的性能下降或失效风险。

2SB1188G-P常被用于多种电源管理场合，特别是在需要高效率和小型化的便携式电子设备中表现突出。典型应用包括移动设备中的负载开关电路，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统复位功能。在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为同步整流开关使用，替代传统二极管以降低导通压降和功耗，从而提高转换效率。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、USB电源开关、热插拔控制器以及各类低电压直流电机驱动电路。
　　在通信设备中，2SB1188G-P可用于电源轨切换和多电源选择电路，确保主备电源之间的无缝切换，保障系统持续运行。在工业自动化领域，它可以集成在PLC模块或传感器供电单元中，提供可靠的电源控制能力。由于其具备良好的抗噪能力和稳定的电气特性，也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐设备或照明控制模块。此外，得益于符合RoHS标准的无铅封装工艺，该器件满足现代电子产品对环保法规的要求，广泛应用于绿色能源设备、智能家居终端和医疗便携仪器等领域。无论是作为高端开关元件还是关键保护器件，2SB1188G-P都能提供稳定、高效的性能支持。

SSM3J02FU-T1-GE1
　　AON7408
　　FDS6679