2SB1188是一种双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),属于NPN型硅晶体管。该型号广泛应用于低噪声放大电路、射频和音频信号处理等领域,适用于高频小信号放大场景。其设计优化了增益和频率特性,在高频应用中表现出色。
集电极-发射极电压:45V
集电极电流:10mA
直流电流增益(hFE):最小值100,最大值400
过渡频率(fT):700MHz
噪声系数:较低
功率耗散:100mW
2SB1188具有较高的增益带宽积,适合在高频和宽带应用中使用。它的低噪声特性使其成为射频前端、无线通信模块以及高保真音频设备中的理想选择。此外,该晶体管具备良好的线性度和稳定性,能够适应较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C)。这使得它不仅适用于普通电子设备,还能满足工业和军事级应用的需求。
另外,2SB1188的封装形式通常为TO-18或SOT系列小型化封装,便于安装和散热管理。对于需要高性能放大器的设计者而言,该型号提供了一个平衡性能与成本的有效解决方案。
2SB1188主要应用于高频放大器、混频器、振荡器以及调制解调电路中。具体来说,它可以作为射频信号链中的关键器件,用于无线通信系统、卫星接收机、雷达装置等领域的信号增强和处理。同时,由于其低噪声特点,也常见于高保真音响设备中的前置放大电路,以确保声音质量不会受到额外失真的影响。
此外,2SB1188还可用于各类测试测量仪器、数据采集系统中的信号调理部分,以及某些医疗电子设备中的精密放大环节。
2SC3358, BFR96