类型：P沟道
　　极性：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：-150mA
　　功耗（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装类型：S-Mini

2SB1184TLR具备优异的开关特性和放大能力，适用于多种低频至中频信号处理场景。
　　其直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值在70到700之间，确保了在不同工作电流下仍能保持良好的增益一致性，从而提升了电路设计的灵活性和稳定性。
　　该晶体管的最高集电极电流可达-150mA，集电极-发射极击穿电压为50V，能够满足大多数低压电源系统的应用需求。
　　过渡频率（fT）高达80MHz，表明其在高频信号放大方面也具备一定能力，适合用于音频放大器或射频前端小信号处理电路。
　　采用S-Mini小型表面贴装封装，体积紧凑，有助于节省PCB布局空间，并提升组装自动化程度，特别适用于高密度贴片生产环境。
　　热阻特性良好，最大结温可达+150°C，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，增强了产品在严苛条件下的适应能力。
　　器件内部结构经过优化，具有较低的饱和压降（VCE(sat)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。
　　同时，其发射极-基极电压额定值为5V，限制了输入端过压风险，配合合理的外围保护电路可进一步提升系统安全性。
　　2SB1184TLR还具备较强的抗干扰能力和噪声抑制性能，适合用于对信号完整性要求较高的模拟电路中。
　　综上所述，这款晶体管以其均衡的电气性能、可靠的封装质量和广泛的适用性，成为许多设计师在构建低功耗、高性能模拟与数字混合电路时的优选器件之一。

2SB1184TLR常用于各类消费类电子设备中的信号放大与开关控制电路，例如电视机、音响设备、家用电器控制模块等。
　　在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它可用于电源管理路径中的负载开关或电池切换控制。
　　工业自动化系统中，该晶体管可用于驱动继电器、LED指示灯或作为微控制器输出级的接口元件，实现弱电与强电之间的隔离控制。
　　在通信设备中，可作为小信号放大器使用于前置音频放大或数据线路缓冲环节。
　　此外，由于其具备一定的高频响应能力，也可应用于无线遥控器、传感器信号调理电路及低速数据传输接口中。
　　教育实验平台和开发板中也常见此类晶体管，用于教学演示基本的三极管工作原理，如共射极放大电路、开关电路设计等。
　　因其封装小巧且易于焊接，特别适合自动化贴片生产线，广泛应用于大批量电子产品制造过程中。
　　在汽车电子领域，虽然不属于车规级器件，但在非关键性的辅助照明控制、车载娱乐系统内部逻辑切换等方面仍有应用潜力。
　　总体而言，2SB1184TLR凭借其通用性强、性价比高和供货稳定的优势，广泛服务于从民用到工业级别的多样化应用场景。

2SB1184T, 2SB1184