2SB1184-TL-R 时间：2025/11/7 19:15:26 阅读：7

2SB1184-TL-R是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道晶体管，属于双极结型晶体管（BJT）类别。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似的小型化封装），适用于需要紧凑设计和高密度布局的电子电路。作为一款通用放大器和开关应用中的常用器件，2SB1184-TL-R在消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中广泛使用。其制造工艺遵循严格的品质管理标准，确保了稳定性和可靠性，并具备良好的温度特性和长期工作稳定性。该晶体管通过无铅设计符合RoHS环保规范，适合现代绿色电子产品的生产要求。此外，由于其批量生产和成熟的制造流程，2SB1184-TL-R具有较高的性价比，在成本敏感的应用场景中表现出色。

参数

类型：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：-50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：-60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：-5V
　　集电极电流（IC）：-150mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

2SB1184-TL-R具备优异的电气性能与稳定的热特性，能够在宽泛的工作条件下保持可靠的运行表现。其高电流增益范围（70～700）使得该晶体管适用于多种信号放大场景，尤其是在小信号处理电路中能够实现高效的增益控制。这一宽广的hFE范围允许设计者在不同批次的元器件之间进行灵活匹配，而不会显著影响整体电路性能。同时，该器件的过渡频率高达80MHz，表明其在高频应用中仍能维持良好的响应能力，适用于射频前端、音频驱动及高速开关等场合。
　　该晶体管采用了先进的平面外延技术制造，确保了载流子迁移效率和低噪声水平，从而提升了整体信噪比。其低饱和压降特性（VCE(sat)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效，尤其在电池供电设备中意义重大。此外，2SB1184-TL-R的封装结构经过优化，具备良好的散热性能和机械强度，能够在振动、湿度变化等恶劣环境中稳定工作。
　　由于采用SOT-23小型表面贴装封装，该器件非常适合自动化贴片生产线，支持回流焊工艺，有利于提升生产效率并降低制造成本。其引脚排列标准化，便于PCB布局和替换。器件还具备较强的抗静电能力（ESD protection），在装配和运输过程中不易因静电放电而损坏。综合来看，2SB1184-TL-R以其高性能、小型化、高可靠性和环境适应性，成为众多模拟与数字混合电路中的理想选择。

应用

2SB1184-TL-R广泛应用于各类中小功率电子系统中，尤其常见于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块和信号切换电路。在这些设备中，它常被用作负载开关、电平转换器或LED驱动元件。此外，在家用电器控制板中，该晶体管可用于继电器驱动、蜂鸣器控制或传感器接口电路，实现对微弱信号的放大与逻辑电平的转换。
　　工业自动化领域也是其重要应用场景之一，例如PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及小型电机控制单元中，均可利用其快速开关响应和稳定放大特性。在通信设备中，该器件可用于前置放大器、阻抗匹配网络或射频开关模块，发挥其高频响应优势。此外，在电源管理系统中，它可以作为线性稳压器的调整管或用于过流保护电路的设计。教育实验平台和原型开发板也常选用此类通用晶体管进行教学演示和功能验证。得益于其广泛的适用性和成熟的供应链体系，2SB1184-TL-R已成为工程师在电路设计初期优先考虑的标准器件之一。