类型：P沟道
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：-100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：最小70，最大400（测试条件IC = -2mA, VCE = -5V）
　　过渡频率（fT）：典型值150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59) 或等效小外形表面贴装封装

2SB1182TLR具备多项关键特性，使其在众多P沟道晶体管中脱颖而出。首先，其高达50V的集电极-发射极击穿电压（VCEO）确保了在中等电压应用中的安全裕度，能够可靠地用于5V、12V乃至24V系统中的开关与控制功能。其次，该器件的最大集电极电流为-100mA，足以驱动多数中小功率负载，例如继电器线圈、LED指示灯、小型电机或逻辑门电路。更重要的是，其直流电流增益（hFE）范围宽广（70～400），保证了在不同工作条件下均能实现高效的电流放大与稳定的开关响应，减少了因批次差异导致的设计风险。
　　另一个显著特点是其高频性能表现优异，典型过渡频率（fT）达到150MHz，意味着该晶体管不仅适用于直流和低频开关应用，还能胜任一定频率范围内的信号处理任务，如音频放大器前置级或脉冲整形电路。此外，2SB1182TLR采用小型表面贴装封装（SOT-23），极大地节省了PCB布局空间，同时支持自动化贴片生产，提高了组装效率和产品一致性。该封装还具备良好的散热性能，在不超过最大功耗的前提下可维持长期稳定运行。
　　热稳定性方面，2SB1182TLR的工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业与消费级应用场景，包括高温环境下的车载电子设备或低温条件下的户外装置。器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。其可靠的制造工艺和严格的质量控制流程确保了高良率和长寿命，适合批量生产和长期部署。综合来看，2SB1182TLR是一款兼具高性能、小尺寸与高可靠性的通用型P沟道晶体管，是现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

2SB1182TLR因其优良的电气特性与紧凑封装，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，常用于电源开关控制、电池供电路径管理以及背光驱动电路，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光调光模块，通过PWM信号控制晶体管导通与关断来调节亮度。在嵌入式控制系统中，该晶体管可用于微控制器输出信号的电平转换或驱动能力增强，将低电流GPIO信号转换为足以驱动外部负载的高电流输出。
　　在工业自动化领域，2SB1182TLR可用于传感器接口电路中作为信号缓冲或反相器使用，尤其适用于需要P沟道配置的负逻辑控制场合。它也常见于DC-DC转换器的辅助电路中，用于实现反馈回路的通断控制或过压保护机制。在家用电器中，如洗衣机、空调或智能插座中，该晶体管可作为继电器驱动器的一部分，控制交流负载的开启与关闭。
　　此外，在通信设备和网络模块中，2SB1182TLR可用于小信号放大或高速开关应用，尤其是在低功耗无线模块（如Wi-Fi、蓝牙）的电源管理单元中，负责对射频部分进行上电时序控制。由于其良好的噪声抑制能力和稳定的增益特性，也可用于音频信号处理前端，作为麦克风偏置电路或前置放大级的组成部分。总之，该器件适用于任何需要P沟道晶体管实现开关或放大功能的中低功率场景，是工程师在电路设计中常用的通用型解决方案。

MMBT3906
　　FMMT718
　　KSP2907A
　　DMP2907A