类型：P沟道
　　晶体管类型：BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：120V
　　最大集电极电流（IC）：2A
　　最大总耗散功率（PT）：800mW
　　直流电流增益（hFE）：40 - 320
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-126

2SB1135的特性之一是其出色的电气性能与稳定的热表现相结合，使其在多种工作条件下都能保持可靠运行。该晶体管具备高达120V的集电极-发射极击穿电压，能够在较高电压环境中安全操作，适用于需要耐压能力的开关电源和电机控制应用。
　　其最大连续集电极电流可达2A，支持中等功率负载的驱动需求，例如驱动继电器、小型电机或LED阵列。同时，该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，从最小40到最高320，表明其在不同偏置条件下仍能提供良好的放大能力，有利于简化偏置电路设计并提高整体稳定性。
　　2SB1135的过渡频率为150MHz，意味着它不仅适用于低频开关操作，也能在高频模拟信号处理中发挥作用，如音频前置放大级或射频小信号处理模块。这一频率特性使得该晶体管在多频段应用中表现出色。
　　TO-126封装提供了良好的散热性能，允许器件在较高功耗下长时间运行而不会迅速过热。该封装还具备机械强度高、易于安装和焊接的优点，适合自动化生产和手工维修。
　　此外，2SB1135具有较低的饱和压降（VCE(sat)），这减少了导通状态下的能量损耗，提高了电源转换效率。在用作开关元件时，快速的开关响应时间和较小的存储时间有助于降低动态功耗，并减少电磁干扰（EMI）的产生。这些特性共同使2SB1135成为工业控制、家用电器和通信设备中理想的功率开关和信号放大器件。

2SB1135广泛应用于各类需要P沟道双极型晶体管的电子电路中，尤其常见于功率开关和信号放大场景。在电源管理系统中，它可用于DC-DC转换器中的开关元件，配合控制器实现高效的电压调节功能。由于其具备较高的电压和电流处理能力，也常被用于AC-DC整流后的稳压电路中作为调整管使用。
　　在音频设备领域，2SB1135经常出现在功率放大器的输出级，与对应的NPN晶体管（如2SD1135）组成互补推挽结构，以提高输出功率和减少失真。这种配置广泛应用于电视机、音响系统和有源扬声器中。
　　在工业控制方面，该晶体管可用于驱动继电器、电磁阀或固态继电器的栅极控制电路。其高输入阻抗和低驱动电流需求使得微控制器可以直接通过限流电阻驱动该晶体管，从而简化了接口电路设计。
　　此外，在消费类电子产品如打印机、复印机、电动玩具和充电器中，2SB1135也被用来执行逻辑电平转换、负载开关或电池反接保护等功能。
　　由于其工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），2SB1135还能适应恶劣环境下的应用需求，例如汽车电子或户外监控设备中的电源控制模块。总之，凭借其可靠的性能和广泛的适用性，2SB1135在现代电子系统中扮演着不可或缺的角色。

2SB1134, 2SB1136, BC327, BC328