时间：2025/8/14 20:10:56
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PJE138L_R1_00001 是一款由Panjit公司生产的功率MOSFET，主要用于高功率、高效率的应用场景，例如电源转换器、电机驱动器和负载开关。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时保持了优异的热性能和可靠性。PJE138L_R1_00001 通常采用TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装技术（SMT）工艺。
类型：功率MOSFET
晶体管结构：N沟道增强型
最大漏极电流：100A
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：20V
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散：125W
输入电容：3300pF
开启阈值电压：2.5V至4.0V
PJE138L_R1_00001 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力。其导通电阻仅为5.5mΩ，使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗和发热。此外，该器件支持高达100A的漏极电流和30V的漏源电压，适用于高功率需求的电子系统。
该MOSFET采用了先进的沟槽式制造技术，优化了开关特性和导通性能，同时具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。PJE138L_R1_00001 的 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上进行表面贴装，适合现代自动化制造流程。
在电气特性方面，该MOSFET的最大栅源电压为20V，确保在各种控制电路中稳定运行。其开启阈值电压范围为2.5V至4.0V，使其能够兼容多种驱动电路。此外，输入电容为3300pF，这在高频开关应用中需要特别考虑。PJE138L_R1_00001 的工作温度范围为-55°C至175°C，适合在各种恶劣环境中使用。
PJE138L_R1_00001 主要用于高功率、高效率的电子系统中，例如直流-直流转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统。该器件的低导通电阻和高电流处理能力使其成为高功率电源设计中的理想选择，尤其是在需要高效能和低发热的场合。此外，PJE138L_R1_00001 还适用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的电源管理模块。
PJE138L_R1_00001 的替代型号包括：IRF138PBF、STP100N3LL、FDMS86101、SiR138DP-T1-GE3。
