类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-4A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：-8A
　　导通电阻 Rds(on)：45mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻 Rds(on)：60mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ Vds=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8
　　功率耗散（Pd）：1.25W（@ Ta=25°C）

2SB1132G-R-AE3-R具备优异的电气性能和稳定性，其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在-4.5V的栅极驱动电压下可达到最低45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其Rds(on)也仅上升至60mΩ，表明该器件对驱动条件具有较强的适应性，能够在宽泛的控制电压范围内保持良好性能。这种特性使得它非常适合用于3.3V或更低电压的逻辑控制系统中。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，属于典型的增强型P沟道MOSFET，确保了在未施加栅极信号时器件处于可靠关断状态，避免误触发导致的短路风险。其最大漏源电压为-20V，适用于低电压直流电源系统，如12V或以下的工业控制、消费类电子产品和嵌入式系统。此外，高达-4A的连续漏极电流能力使其足以驱动中小型负载，例如LED阵列、继电器线圈或小型电机。
　　2SB1132G-R-AE3-R采用SOP-8封装，具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产。其内部结构经过优化，减少了寄生电感和电容，提升了高频开关性能。输入电容仅为570pF，在开关电源应用中可降低驱动损耗并提升响应速度。同时，器件的工作结温可达+150°C，具备良好的热稳定性和长期可靠性，适用于高温环境下的持续运行。
　　Rohm在制造过程中采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提高了单位面积内的载流子迁移率，从而进一步降低导通电阻并提升电流处理能力。该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力，增强了在实际操作和装配过程中的安全性。总体而言，2SB1132G-R-AE3-R是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于多种低功耗、高效率的功率开关场景。

2SB1132G-R-AE3-R广泛应用于各类需要高效电源管理和负载控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的电池电源开关，用于控制电池向主系统的供电通断，实现低功耗待机模式或系统级电源管理。在DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流器或高边开关，配合N沟道MOSFET构成半桥或全桥拓扑结构，提升转换效率并减少发热。此外，在LED驱动电路中，它可以作为恒流源的开关元件，精确控制LED的点亮与熄灭，适用于背光控制或指示灯驱动。
　　在工业控制领域，2SB1132G-R-AE3-R可用于驱动继电器、电磁阀或小型直流电机，其快速开关能力和低导通损耗有助于提高控制精度和系统响应速度。在主板或嵌入式系统的电源时序控制中，该器件可用于多路电源的顺序上电管理，确保各模块按预定顺序启动，防止浪涌电流冲击。同时，由于其封装小巧，非常适合空间受限的应用，如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备。
　　在热插拔电路设计中，2SB1132G-R-AE3-R可作为电源路径的主控开关，配合限流和软启动电路，防止插入瞬间产生过大的冲击电流，保护后端电路安全。其良好的热稳定性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子中的低压辅助系统，如车用照明、传感器供电或车载信息娱乐系统的电源管理模块。此外，该器件还可用于USB电源开关、LDO使能控制、多电源选择电路等场合，展现出高度的通用性和灵活性。

DMG2305UX-7
　　SI2301ADS-T1-E3
　　FDS6670A
　　AO3401A
　　TPC8009-H