W25N01GVZEIT 时间：2025/8/21 9:01:02 阅读：5

W25N01GVZEIT 是 Winbond（华邦电子）公司生产的一款串行NAND闪存芯片，容量为1Gbit（128MB）。该芯片采用小巧的8引脚WSON封装，适用于需要高密度非易失性存储的应用场合。W25N01GVZEIT支持标准的SPI接口（Single I/O模式）以及高速的Dual/Quad I/O模式，提供灵活的数据读写方式。

参数

容量：1Gbit（128MB）
　　接口类型：SPI（支持Single/Dual/Quad I/O）
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-WSON
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB（每块128页）
　　擦写寿命：10万次
　　数据保持时间：10年
　　读取速度：最大104MHz（在Quad I/O模式下）

特性

W25N01GVZEIT 采用串行NAND闪存技术，具备高密度存储能力的同时，保持了低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持多种读写模式，包括Single、Dual和Quad I/O模式，以满足不同系统对数据传输速率的需求。其SPI接口兼容性强，易于与各种微控制器或主控芯片连接。
　　此外，该器件内置ECC（错误校正码）功能，提升了数据存储的可靠性，并支持坏块管理，自动标记不可靠的存储块。W25N01GVZEIT 还具备写保护功能，包括硬件写保护（通过WP引脚）和软件写保护（通过状态寄存器），防止误写入和数据损坏。
　　该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源环境，工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用场景。封装采用8-WSON，体积小巧，适合空间受限的设计。

应用

W25N01GVZEIT 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中，例如物联网设备、智能仪表、工业控制设备、汽车电子模块、无线通信设备、穿戴设备等。其高速SPI接口和多种读写模式使其适用于需要频繁读写操作的应用，如日志记录、固件存储、图形缓存等场景。此外，其高可靠性和宽温工作范围也使其适合用于汽车和工业环境。