时间：2025/11/8 2:39:29
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2SAR573D3TL1是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道硅结型场效应晶体管（JFET），主要用于模拟信号处理和低噪声放大应用。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-490或类似封装形式），适用于高密度PCB布局和便携式电子设备。2SAR573D3TL1属于ROHM的2SAR系列，专为高性能音频、传感器接口以及前置放大电路设计。该JFET具有低输入电容、低截止电流和良好的线性特性，使其在微弱信号放大中表现出色。其制造工艺确保了器件的一致性和可靠性，适合工业级工作温度范围内的稳定运行。此外，该型号支持无铅焊接工艺，符合RoHS环保标准，广泛应用于消费类电子产品、通信模块及精密测量仪器中。作为一款常用于恒流源或有源负载配置的器件，2SAR573D3TL1在模拟电路设计中具备较高的灵活性与实用性。
类型：N沟道JFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：-25V
最大耗散功率：150mW
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
输入电容（Ciss）：典型值约4pF
截止频率（ft）：典型值100MHz
饱和漏极电流（IDSS）：2.0mA ~ 8.0mA（典型值5.0mA）
夹断电压（VP）：-0.5V ~ -3.0V（典型值-1.5V）
跨导（gm）：典型值3.0mS
封装形式：SOT-490 (MiniMold)
引脚数：3
极性：N-Channel
2SAR573D3TL1的核心特性之一是其优异的低噪声性能，这使得它特别适用于前置放大器和高保真音频信号链路中的关键环节。JFET本身具有非常高的输入阻抗，通常在10^9欧姆以上，因此对前级信号源的影响极小，能够有效避免信号衰减。这种高输入阻抗特性也使其成为电压控制开关和缓冲器的理想选择。该器件的夹断电压VP分布在-0.5V至-3.0V之间，配合IDSS（饱和漏极电流）在2.0mA到8.0mA之间的合理离散性，允许设计师通过偏置网络精确设定工作点，从而优化动态范围和失真表现。
另一个重要特点是其良好的温度稳定性。由于JFET是多数载流子器件，不存在双极型晶体管中的少子存储效应，因此在宽温环境下仍能保持稳定的电气特性。这对于需要长期连续运行的工业传感器系统或户外通信设备尤为重要。此外，2SAR573D3TL1的跨导gm达到3.0mS左右，在同类小信号JFET中属于较高水平，意味着它可以在较低的驱动条件下提供较强的增益能力。
该器件还具备较低的寄生电容，尤其是输入电容Ciss仅为约4pF，有助于提升高频响应性能，适用于高达100MHz的信号处理场景。结合其小型化SOT-490封装，不仅节省PCB空间，还能减少引线电感带来的高频干扰。整体结构采用可靠的塑料模压封装技术，具备良好的机械强度和防潮性能。同时，产品符合无铅和RoHS标准，支持回流焊工艺，便于自动化生产。这些综合优势使2SAR573D3TL1成为现代模拟电路中不可或缺的基础元件之一。
2SAR573D3TL1广泛应用于需要低噪声、高输入阻抗和良好线性度的模拟电路系统中。最常见的用途包括音频前置放大器、麦克风放大电路以及医疗检测设备中的生物电信号采集前端。在这些应用中，微弱的生理信号如心电（ECG）、脑电（EEG）或肌电信号（EMG）必须在不引入额外噪声的前提下进行初步放大，而该JFET的高输入阻抗和低噪声特性正好满足这一需求。此外，它也被用于测试与测量仪器，例如示波器探头缓冲器、信号调理模块和可编程增益放大器（PGA）的输入级设计。
在通信领域，2SAR573D3TL1可用于射频（RF）小信号放大或混频器的本地振荡缓冲，因其低输入电容和高截止频率特性，能够在高频段维持较好的信号完整性。它还可作为恒流源使用，在LED驱动、精密基准电流生成或差分放大器的尾电流源中发挥重要作用。在工业控制系统中，该器件常见于压力、温度或光敏传感器的信号调理电路，用以增强原始传感输出并抑制共模干扰。
此外，由于其封装小巧且热稳定性好，2SAR573D3TL1也适用于便携式设备，如手持式分析仪、无线传感器节点和电池供电的数据采集系统。在科研实验平台上，该JFET常被选作教学示范器件，帮助学生理解场效应管的工作原理和偏置设计方法。总体而言，其多功能性和可靠性使其覆盖从消费电子到高端工业设备的广泛应用场景。
2SK370, JFE2140, U310, BF862
