型号：2SAR533PT100
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：30 V
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：6.8 A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：27 A
　　导通电阻(RDS(on))@4.5V VGS：33 mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@2.5V VGS：45 mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@1.8V VGS：60 mΩ
　　阈值电压(Vth)@250μA：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容(Ciss)@1MHz：500 pF
　　输出电容(Coss)@1MHz：200 pF
　　反向传输电容(Crss)@1MHz：50 pF
　　功率耗散(Pd)@TA=25°C：2.5 W
　　工作结温范围(Tj)：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围(Tstg)：-55 °C ~ +150 °C
　　封装/包：PowerSSOP (TSON)
　　引脚数：8
　　极性：N-Channel

2SAR533PT100采用ROHM先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在低电压、大电流的应用中能够有效减少传导损耗，提高系统效率。其在VGS = 4.5V时的典型RDS(on)仅为33mΩ，而在更低的驱动电压如1.8V下仍能维持60mΩ以下的导通阻抗，使其兼容现代低电压逻辑控制信号，例如来自微控制器或电源管理IC的直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该器件的栅极电荷（Qg）非常低，典型值约为8nC（具体数值需参考数据手册），这一特性有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用下的整体能效表现。同时，较低的输入电容（Ciss）也减少了驱动电路所需的瞬时电流，进一步优化了动态响应能力。对于需要频繁启停或处于待机模式的便携式设备而言，这种低功耗开关行为至关重要。
　　热性能方面，2SAR533PT100使用PowerSSOP（TSON）封装，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热平面，从而实现高效的热管理。即使在紧凑布局条件下，也能保证较高的长期运行可靠性。此外，该封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化SMT生产线，支持回流焊工艺。
　　电气稳定性方面，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，能够在瞬态负载切换或短路情况下提供一定程度的自我保护。内置的体二极管虽然不是主要功能部分，但在同步整流或续流路径中仍可发挥一定作用，尤其在非连续导通模式（DCM）下帮助能量释放。总体来看，2SAR533PT100是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的先进功率MOSFET解决方案。

2SAR533PT100广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理系统，尤其适用于需要高效能、小尺寸功率开关的场景。典型应用包括移动设备中的电池电源开关，用于控制主电源通断以实现低功耗待机或安全关机功能；也可作为负载开关，在多路供电系统中独立启用或禁用特定模块，如摄像头、显示屏背光或无线通信单元，从而精细化管理能耗。
　　在DC-DC转换器拓扑中，该器件常被用作同步整流MOSFET，配合升压或降压控制器工作，替代传统肖特基二极管以降低导通压降和热损耗，显著提升转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下效果更为明显。此外，它还可用于ORing电路、热插拔控制器以及USB端口的电流限制与保护电路中，防止过流或反向电流损坏主机系统。
　　工业与消费类电子产品中，如智能家居传感器节点、可穿戴健康监测设备、TWS耳机充电仓电源管理等，也都普遍采用此类高性能小信号功率MOSFET来实现紧凑设计与长续航目标。由于其支持1.8V以上的逻辑电平直接驱动，因此可以直接连接到3.3V或2.5V逻辑输出的MCU GPIO引脚，简化外围电路设计，减少元件数量，降低整体成本。

RJK03B9DPB-SH0#K0, AP2308GN, SI2302DS, FDMN340P, BSS84