时间：2025/8/1 9:35:28
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MX80A02SZ1A是一款高压MOSFET功率晶体管，通常用于电源转换和高电压应用中。该器件由MOSFET结构组成，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于工业电源、DC-DC转换器、UPS系统、电动工具和家电等多种应用领域。MX80A02SZ1A采用先进的封装技术，以确保在高温和高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.0mΩ
最大耗散功率（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
MX80A02SZ1A具有多个显著的性能优势。首先，其高漏源电压（200V）和大电流能力（80A）使其适用于高功率应用，能够承受较大的负载变化和瞬态电压冲击。其次，该MOSFET的导通电阻非常低，典型值仅为2.0mΩ，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频开关电路。
该器件采用先进的封装技术，如TO-263或类似的表面贴装封装，提供良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化生产和高温环境下使用。MX80A02SZ1A还具备良好的抗雪崩能力，能够在高能脉冲条件下保持稳定运行。
在可靠性方面，MX80A02SZ1A经过严格的设计和测试，符合行业标准，具备较长的使用寿命。其栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计，且具有较高的热稳定性和短路保护能力。
MX80A02SZ1A广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车充电系统、LED照明电源以及家用电器等。其优异的电气性能和可靠的封装设计使其成为高性能电源转换系统的理想选择。
IXFH80N20P、IRFP260N、SiHF80N20E、FDPF80N20、STP80NF20
