类型：PNP
　　材料：锗（Germanium）
　　封装形式：TO-18（金属圆形封装）
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：15V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：20V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：1V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极耗散功率（PC）：150mW
　　直流电流增益（hFE）：40～500（根据不同分档）
　　过渡频率（fT）：≥100MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+125℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃

2SA221作为一款经典的锗PNP晶体管，其最显著的特性之一是采用了锗半导体材料，这种材料使得该晶体管在低温或微弱信号条件下表现出优异的导通性能。由于锗的禁带宽度较窄，其基极-发射极开启电压仅为0.2V左右，远低于硅晶体管的0.6V～0.7V，因此特别适用于需要对微弱信号进行放大的场合，例如晶体管收音机中的检波级或前置放大级。这一特性也使其在某些高灵敏度传感器接口电路中具有独特优势。
　　另一个重要特性是其较高的直流电流放大系数（hFE），可在40至500之间根据批次和分选等级变化，用户在实际应用中常需筛选配对以确保电路性能一致。此外，该晶体管具备良好的高频响应能力，过渡频率fT可达100MHz以上，意味着它不仅可用于音频频段放大，还能在射频小信号放大电路中发挥作用，尤其是在AM广播频段（约500kHz～1.6MHz）内表现稳定。
　　从结构上看，TO-18金属封装提供了较好的散热性能和电磁屏蔽效果，有助于减少外界干扰，提高电路稳定性。同时，该封装形式便于手工焊接和维修，适合实验室调试与小批量生产。但由于是锗器件，2SA221的反向漏电流较大，尤其是集电结反向饱和电流（ICEO）随温度上升迅速增加，可能导致工作点漂移，因此在设计时必须考虑偏置电路的温度补偿措施。
　　此外，该晶体管对静电和过热较为敏感，焊接时需控制烙铁温度和时间，避免内部PN结损坏。虽然其最大功耗仅为150mW，限制了输出能力，但在小信号应用中足以胜任。总体而言，2SA221代表了上世纪中期晶体管技术的发展水平，虽已被更先进的硅器件所替代，但其独特的电气特性仍使其在特定领域保有一席之地。

2SA221主要用于低功率模拟电子电路中，特别是在早期的消费类电子产品中有着广泛应用。一个典型的应用场景是便携式晶体管收音机中的音频前置放大级或中频放大级，利用其低开启电压和高增益特性，能够有效放大来自检波级的微弱音频信号，从而驱动后续的功率放大级。由于其良好的高频响应，也可用于AM接收机的射频小信号放大环节，提升接收灵敏度。
　　在模拟音频设备修复领域，2SA221常被用于替换老化失效的原始元件，特别是在复刻或维护 vintage 音响器材时，因其声音特性被认为具有“温暖”、“柔和”的音色风格，受到部分发烧友青睐。此外，该晶体管还可作为开关元件应用于低速数字逻辑电路或脉冲信号处理系统中，实现信号通断控制。
　　在教育实验环境中，2SA221也被用作教学演示器件，帮助学生理解PNP晶体管的工作原理、偏置电路设计以及锗与硅材料之间的性能差异。由于其参数特性明显，易于测量，适合搭建共发射极、共基极等基本放大电路进行实验分析。
　　另外，在一些特殊用途的探测装置中，如红外光探测前置级、热释电传感器信号调理电路等，2SA221凭借其对微小电流变化的敏感性，可作为初级放大元件使用。尽管现代设计更多采用场效应管或专用运算放大器，但在资源受限或追求极简电路架构的情况下，该晶体管仍具备实用价值。总的来说，虽然2SA221已不再是主流选择，但在特定应用场景下依然发挥着不可替代的作用。

2SA1132
　　2SA970
　　KC221
　　2N403
　　AC128