时间：2025/5/8 16:02:26
阅读：9
SZMM3Z10VT1G 是一款基于硅技术的微型 MOSFET 功率晶体管，主要应用于低电压、高效率的功率转换场景。该器件采用先进的制程工艺设计，具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的整体性能。
其封装形式为超小型 SOT-23 封装，适合空间受限的应用环境，同时提供出色的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（典型值）：10mΩ
栅极电荷：4nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，减少了热损耗。
2. 快速的开关特性使其非常适合高频应用，例如 DC-DC 转换器和负载开关。
3. 超小型 SOT-23 封装节省了电路板空间，简化了设计布局。
4. 宽泛的工作温度范围支持其在恶劣环境下的稳定运行。
5. 高可靠性和长寿命设计，满足工业级和消费级应用需求。
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑适配器及 USB-PD 接口的功率转换。
3. 消费电子设备中的负载开关和保护电路。
4. 工业控制和通信设备中的低功耗设计。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制电路。
AO3400A
FDMT3731
IRLML6402
