型号：2SA1758
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.6A (Tc=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-15A
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ (VGS=-10V, ID=-4.6A)
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容(Ciss)：930pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
　　输出电容(Coss)：540pF
　　反向传输电容(Crss)：40pF
　　功耗(PD)：2W (Tc=25°C)
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini3 (TO-252)

2SA1758 P沟道MOSFET采用了ROHM专有的沟槽栅极结构和高密度单元设计，实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低了在高电流应用中的功率损耗。这种低RDS(on)特性使得器件在负载开关和电源路径管理中表现出色，尤其是在电池供电设备中能够有效延长续航时间。其-20V的漏源击穿电压适合于12V或24V以下的低压直流系统，配合-4.6A的额定电流能力，可满足大多数中等功率开关需求。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容Ciss仅为930pF，在高频开关应用中减少了驱动损耗并提升了响应速度。同时，较低的Crss（反向传输电容）有助于减少米勒效应带来的误触发风险，提高了电路的稳定性与抗噪声能力。此外，2SA1758的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在不同控制信号下的可靠开启与关断，兼容多种逻辑电平驱动电路。
　　S-Mini3（TO-252）封装不仅提供了良好的机械强度，还通过外露焊盘增强了散热性能，使器件能够在较高环境温度下稳定运行。该封装的小型化设计有利于实现高密度PCB布局，特别适用于现代便携式电子产品对小型化和轻量化的追求。同时，器件内部集成了体二极管，可用于续流或防止反向电流，进一步扩展了其在电机驱动和电源切换场景中的适用性。
　　2SA1758符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（部分批次），表明其在温度循环、湿度、振动等严苛条件下仍能保持稳定性能，因此也适用于车载电子系统如LED照明、风扇控制或车载充电模块。此外，产品无卤素且符合RoHS指令，体现了绿色环保的设计理念。综合来看，2SA1758凭借其高性能参数、稳健的制造工艺和广泛的适用性，成为众多设计师在P沟道功率MOSFET选型中的优选方案之一。

2SA1758广泛应用于各类需要高效电源控制与管理的电子系统中。常见用途包括DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，尤其在低电压大电流输出场景下发挥其低导通电阻的优势，提升整体转换效率。它也被用作高端负载开关，用于控制主电源路径的通断，实现设备的软启动、过流保护和待机模式管理，常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中。
　　在电池供电设备中，该器件可用于防止电池反接或反向放电，起到理想二极管的作用，避免能量浪费并提高系统安全性。此外，在电机驱动电路中，2SA1758可作为H桥的一部分，控制直流电机的正反转与制动功能，适用于小型家电、电动工具和机器人控制系统。
　　由于其具备良好的热稳定性和瞬态电流承受能力，2SA1758也常用于工业控制领域的继电器替代方案，即固态开关应用，以消除机械触点磨损问题，延长设备寿命。在汽车电子方面，可用于车灯控制模块、车载信息娱乐系统电源切换以及传感器供电单元等场景。
　　此外，该器件适用于各种适配器、充电器和USB供电设备中的电源隔离与分配电路，支持多路电源选择逻辑，保障系统在不同输入源之间的平稳切换。总之，2SA1758凭借其优异的电气性能和可靠的封装设计，已成为消费电子、工业自动化、通信设备及汽车电子等多个领域中不可或缺的关键元器件。

Si3443CDV