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2SA1370E 发布时间 时间:2025/9/21 0:43:02 查看 阅读:4

2SA1370E是一款由东芝(Toshiba)生产的P沟道MOS场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关和放大电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。2SA1370E广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及便携式电子产品中。作为P沟道器件,其栅极在负电压相对于源极时导通,适用于高端驱动配置,简化了驱动电路设计。该器件封装形式为SOP-8(小外形封装),带有裸露焊盘,有助于提高散热性能,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。
  2SA1370E的设计注重节能与高效,在低电压控制逻辑下仍能实现良好的导通特性,支持现代电子设备对小型化、低功耗和高可靠性的要求。其额定电压和电流参数使其能够在多种中等功率应用中替代传统的双极型晶体管或更高成本的N沟道MOSFET配合驱动电路的方案。此外,该器件具备良好的抗静电能力(ESD保护)和热关断耐受性,提升了系统在异常工况下的鲁棒性。由于其优异的电气性能和封装优势,2SA1370E成为许多工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。

参数

型号:2SA1370E
  极性:P沟道
  最大漏源电压(Vds):-30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-5.4A(@Vgs=-10V)
  脉冲漏极电流(Idm):-16A
  导通电阻Rds(on):37mΩ(@Vgs=-10V);45mΩ(@Vgs=-4.5V)
  阈值电压(Vth):-1.0V ~ -2.5V
  输入电容(Ciss):1020pF(@Vds=-15V, Vgs=0V)
  输出电容(Coss):490pF
  反向传输电容(Crss):110pF
  功耗(Pd):2W(@Tc=25°C);10W(带散热)
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-8(含裸露焊盘)

特性

2SA1370E的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),在Vgs=-10V条件下仅为37mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效。在电池供电设备中,这种低损耗特性尤为重要,有助于延长续航时间。同时,在Vgs=-4.5V时Rds(on)也仅为45mΩ,表明该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力,兼容3.3V或5V逻辑电平控制,无需额外的电平转换或升压电路,简化了系统设计。
  另一个关键特性是其出色的开关性能。得益于较小的栅极电荷(Qg)和低输入/输出电容,2SA1370E能够实现快速的开关响应,减少开关过程中的能量损耗,特别适用于高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器等。其反向传输电容(Crss)仅为110pF,有助于降低米勒效应的影响,提升器件在高速开关中的稳定性,防止误触发。
  热管理方面,2SA1370E采用SOP-8封装并带有底部裸露焊盘,可通过PCB上的大面积铜箔进行高效散热,使器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度,从而提高长期运行的可靠性。该封装还符合RoHS环保标准,适用于无铅回流焊工艺,满足现代电子产品对环保和可制造性的要求。
  此外,该器件具备良好的栅极氧化层耐压能力,最大栅源电压可达±20V,增强了对瞬态电压冲击的耐受性。其阈值电压范围合理(-1.0V至-2.5V),确保在不同工作条件下都能稳定开启,避免因阈值漂移导致的误动作。综合这些特性,2SA1370E在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡,是中等功率P沟道MOSFET应用中的优选器件。

应用

2SA1370E广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。在电源管理领域,常用于同步整流型DC-DC转换器的上管开关,特别是在降压(Buck)拓扑中,利用其P沟道特性可直接由输入电压驱动栅极,省去复杂的自举电路或专用驱动IC,降低成本和设计复杂度。此外,在负载开关电路中,2SA1370E可用于控制电源对特定模块的供电通断,实现上电时序管理或节能待机功能,常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源架构中。
  在电池供电设备中,该器件可用于电池反接保护、过流保护或热插拔控制电路,其低导通电阻减少了电压降和发热,提升了系统效率。工业控制设备中,2SA1370E可用于继电器驱动、电机控制或传感器电源切换,提供可靠的开关性能和较长的使用寿命。
  通信设备如路由器、交换机等也常采用该器件进行多电源域的切换管理。由于其SOP-8封装体积小巧,适合高密度PCB布局,因此在空间受限的应用中尤为受欢迎。此外,消费类电子产品如智能手表、无线耳机、便携式医疗设备等,也广泛使用2SA1370E来实现高效的电源控制和节能管理。其稳定的电气特性和良好的温度适应性,使其能够在宽温环境下可靠运行,适用于户外或工业级应用场景。

替代型号

AP2302GN-HF
  SI2302DS-T1-E3
  FDMS3604
  RTQ2124-1GQV
  BUZ73

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2SA1370E参数

  • 安装类型通孔
  • 封装类型TO-92 Mod
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型PNP
  • 最大功率耗散1 W
  • 最大直流集电极电流0.1 A
  • 最大集电极-发射极电压200 V
  • 最小直流电流增益40 V
  • 最高工作频率150 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别小信号
  • 配置