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FX8C-60S-SV(91) 发布时间 时间:2025/9/5 1:24:14 查看 阅读:13

FX8C-60S-SV(91) 是由富士通(Fujitsu)公司生产的一种高压、高电流能力的功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的硅技术,并封装在高性能的封装中,具有良好的导热性和电气特性,适用于各种电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等应用。这款MOSFET特别设计用于在高电压和大电流环境下工作,具备较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低功耗并提高效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):600V
  栅极-源极电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):8A
  工作温度范围:-55°C至150°C
  导通电阻(RDS(on)):典型值为1.2Ω
  封装类型:TO-220
  功率耗散(PD):50W

特性

FX8C-60S-SV(91) 具有多个关键特性,使其在各类功率应用中表现出色。首先,它具备较低的导通电阻(RDS(on)),通常为1.2Ω,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件能够承受高达600V的漏极-源极电压(VDS),适用于高压应用环境,如电源适配器、充电器、电机驱动器和工业控制系统。
  此外,FX8C-60S-SV(91) 支持高达8A的连续漏极电流(ID),使其能够处理中等功率水平的负载。其栅极-源极电压(VGS)可达±30V,提供较强的抗电压波动能力,确保在复杂电路环境中稳定运行。该器件的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,有助于提高整体系统的热稳定性。

应用

FX8C-60S-SV(91) 主要用于需要中高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS(不间断电源)系统以及工业自动化控制设备。由于其高压能力和良好的导通特性,该器件也常用于LED照明驱动器、电池充电管理系统以及家电控制电路中。
  此外,FX8C-60S-SV(91) 还可用于开关电源(SMPS)中的主开关器件或同步整流器件,以提高电源转换效率。在太阳能逆变器和储能系统中,该MOSFET可作为功率开关,用于控制能量的传输与转换。在汽车电子领域,该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及其他车载电源管理模块。

替代型号

IXFH8N60P、IRF840、STF8NM60N、FQA8N60C、2SK2647

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FX8C-60S-SV(91)参数

  • 标准包装21
  • 类别连接器,互连式
  • 家庭板对板 - 阵列,边缘类型,包厢
  • 系列FX8C
  • 连接器类型插座,中央带触点
  • 位置数60
  • 间距0.023"(0.60mm)
  • 行数2
  • 安装类型表面贴装
  • 特点板导轨
  • 触点表面涂层
  • 触点涂层厚度-
  • 包装管件
  • 配接层叠高度5mm,6mm,7mm,9mm,11mm
  • 板上方高度0.156"(3.95mm)
  • 配套产品H11507-ND - CONN HEADER 60POS .6MM GOLD SMDH11506-ND - CONN HEADER 60POS .6MM GOLD SMDH11505-ND - CONN HEADER 60POS .6MM GOLD SMDH11522-ND - CONN HEADER 60POS .6MM GOLD SMDH10697-ND - CONN HEADER 60POS .6MM GOLD SMD
  • 其它名称*FX8C-60S-SV(91)H11129H11129-NDH11532