时间：2025/9/5 1:24:14
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FX8C-60S-SV(91) 是由富士通（Fujitsu）公司生产的一种高压、高电流能力的功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的硅技术，并封装在高性能的封装中，具有良好的导热性和电气特性，适用于各种电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等应用。这款MOSFET特别设计用于在高电压和大电流环境下工作，具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低功耗并提高效率。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS)：600V
栅极-源极电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：8A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻(RDS(on))：典型值为1.2Ω
封装类型：TO-220
功率耗散(PD)：50W
FX8C-60S-SV(91) 具有多个关键特性，使其在各类功率应用中表现出色。首先，它具备较低的导通电阻（RDS(on)），通常为1.2Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高达600V的漏极-源极电压（VDS），适用于高压应用环境，如电源适配器、充电器、电机驱动器和工业控制系统。
此外，FX8C-60S-SV(91) 支持高达8A的连续漏极电流（ID），使其能够处理中等功率水平的负载。其栅极-源极电压（VGS）可达±30V，提供较强的抗电压波动能力，确保在复杂电路环境中稳定运行。该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，有助于提高整体系统的热稳定性。
FX8C-60S-SV(91) 主要用于需要中高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化控制设备。由于其高压能力和良好的导通特性，该器件也常用于LED照明驱动器、电池充电管理系统以及家电控制电路中。
此外，FX8C-60S-SV(91) 还可用于开关电源（SMPS）中的主开关器件或同步整流器件，以提高电源转换效率。在太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET可作为功率开关，用于控制能量的传输与转换。在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源管理模块。
IXFH8N60P、IRF840、STF8NM60N、FQA8N60C、2SK2647
