时间：2025/8/8 16:42:35
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2RI75E-080 是一款由东芝（Toshiba）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于需要高功率开关的场合，如工业电机驱动、变频器、电焊机和电源系统等。该模块集成了 IGBT 芯片和反并联二极管，具有高效率、高可靠性和紧凑的封装设计。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
额定集电极电流（IC）：75A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
短路耐受能力：有
内部二极管：反并联快速恢复二极管
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
输入电容（Cies）：约2800pF
工作频率：最高可达20kHz
2RI75E-080 模块具有优异的热性能和电气性能，采用先进的沟槽栅场截止（Trench FS）技术，降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。
该模块内部集成了快速恢复二极管，适用于需要高频率开关操作的应用场景，能够有效减少外部元件数量，简化电路设计。
其封装设计具备良好的绝缘性能和机械强度，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
此外，该模块具有良好的短路保护能力和过热保护特性，确保在异常工况下器件的安全运行。
2RI75E-080 的低饱和压降特性使其在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升系统的整体能效。
由于其标准化的封装尺寸和引脚排列，该模块具有良好的可替换性和兼容性，便于系统设计和维护。
2RI75E-080 广泛应用于各种工业和电力电子系统中，包括但不限于：
变频器和伺服驱动器
电焊机和等离子切割设备
不间断电源（UPS）
电机控制和工业自动化设备
高频电源和DC-AC逆变器
电动汽车充电设备和能量回馈系统
2RI75E-075, 2RI75E-120, SKM75GB060D, FF75UP120T
