VRE3041AS是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为需要高效率、高速开关性能和低导通电阻的应用而设计。VRE3041AS采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的热性能和电气性能,适用于各种电源管理和功率转换应用。
类型:MOSFET
通道类型:N沟道
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):41A(在25°C)
功耗(Pd):100W
导通电阻(Rds(on)):12.5mΩ(最大值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
VRE3041AS具有多项显著特性,使其在功率MOSFET领域中脱颖而出。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下的最小功率损耗,从而提高了整体效率。此外,该器件具有高电流容量,能够在高温环境下保持稳定运行。
VRE3041AS采用了Vishay的先进沟槽技术,这种技术不仅降低了Rds(on),还优化了器件的开关性能,减少了开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要,因为它可以显著降低功率转换过程中的能量损失。
该MOSFET具有良好的热管理能力,得益于其封装设计和材料选择。TO-252(DPAK)封装能够有效地将热量从芯片传导到散热器,从而保持器件在高负载条件下的可靠性。
VRE3041AS还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能,确保在极端条件下仍能正常工作。其高耐压特性使其适用于多种电压范围的应用,尤其是在电池供电设备和电源管理电路中表现优异。
此外,VRE3041AS的栅极驱动要求较低,使其能够与多种控制电路兼容,降低了系统设计的复杂性。
VRE3041AS广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。其高效率和高电流容量使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
在DC-DC转换器中,VRE3041AS的低Rds(on)和高速开关特性使其能够高效地转换电压,适用于降压(Buck)和升压(Boost)电路。在同步整流器中,该器件可以显著降低导通损耗,提高转换效率。
在电池管理系统中,VRE3041AS可用于电池充放电控制,确保电池组的安全运行。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于电动工具、无人机和其他高功率便携设备中的电机驱动电路。
此外,VRE3041AS还可用于工业自动化设备中的负载开关控制,提供可靠的高电流开关能力。
Si4442DY-T1-GE3, IRF3710, FDP4410