2R90 时间：2025/12/27 11:37:39 阅读：10

2R90是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等电子系统中。该器件采用先进的沟槽式场栅极工艺制造，能够在低电压应用中提供优异的导通性能和快速开关特性。2R90的工作电压等级适中，适合在便携式设备和中等功率电路中作为主开关元件使用。其封装形式通常为小型表面贴装型，例如SOT-23或类似的小型化封装，有助于节省PCB空间并提高组装密度。由于其具备低导通电阻、高输入阻抗以及良好的热稳定性，2R90在消费电子、工业控制及通信设备中得到了广泛应用。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，提升了系统的可靠性和耐用性。在设计过程中，工程师需注意栅极驱动电压的匹配以及适当的散热布局，以充分发挥其性能优势。

参数

型号：2R90
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：17.6 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大功耗（Pd）：1 W
　　导通电阻（Rds(on)）：45 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 2.2 A
　　导通电阻（Rds(on)）：60 mΩ @ Vgs = 4.5 V, Id = 2.2 A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　开启延迟时间（td(on)）：12 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28 ns
　　输入电容（Ciss）：450 pF @ Vds = 15 V
　　输出电容（Coss）：120 pF @ Vds = 15 V
　　反向恢复时间（trr）：20 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2R90 N沟道MOSFET采用了ROHM先进的沟槽结构技术，这种结构通过优化载流子流动路径，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。该器件在Vgs为10V时，Rds(on)仅为45mΩ，在4.5V驱动条件下也能保持60mΩ的低阻值，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。其低阈值电压范围（1.0V~2.5V）使得在低电压控制系统中能够实现快速开启，提高了响应速度。
　　该MOSFET具有优异的开关性能，开启延迟时间为12ns，关断延迟时间为28ns，配合较低的输入和输出电容（Ciss=450pF，Coss=120pF），可有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和同步整流电路。同时，其反向恢复时间较短（trr=20ns），有助于降低体二极管在换流过程中的反向恢复电荷，减少电磁干扰（EMI）风险。
　　在可靠性方面，2R90具备高达+150°C的最大工作结温，可在高温环境下稳定运行，适用于对热稳定性要求较高的工业设备。器件还内置了一定程度的ESD保护机制，并通过了严格的AEC-Q101等可靠性认证（如适用），增强了在实际应用中的鲁棒性。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备良好的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热。综合来看，2R90是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于电池供电设备、LED驱动、DC-DC转换器和负载开关等场合。

应用

2R90广泛应用于各类中低功率电子系统中，典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载控制。在这些设备中，它常被用作背光LED驱动的开关元件或用于实现电源路径管理功能，确保系统在不同电源输入（如USB与电池）之间平稳切换。
　　此外，2R90也常见于DC-DC升压或降压转换器中，作为同步整流开关使用，利用其低导通电阻特性来提高转换效率，减少发热。在电机驱动电路中，尤其是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，2R90可用于构成低端或高端开关，实现精确的速度与方向控制。
　　在工业自动化领域，该器件可用于传感器模块的电源开关、PLC输入输出接口的隔离驱动，以及各类继电器或电磁阀的驱动电路中。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可应用于通信设备中的电源管理单元，保障信号链路的稳定供电。总之，凡是需要高效、小型化且响应速度快的开关元件的场合，2R90均是一个理想的选择。