型号：2R5TPD1000M5
　　电容值：1000μF
　　额定电压：2.5V DC
　　耐压：3.0V DC
　　封装尺寸：EIA 7343-43 (D型)
　　容差：±20%
　　最大ESR（100kHz）：25mΩ
　　最大DF（损耗角正切）：0.008
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C
　　寿命：在+105°C、额定电压下可达2000小时
　　极性：有极性（需注意安装方向）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、无卤素可选

2R5TPD1000M5的核心优势在于其采用的导电聚合物阴极技术，这种材料相比传统钽电容使用的二氧化锰具有更高的电导率，从而大幅降低等效串联电阻（ESR）。低ESR意味着在高频开关电源中能更有效地滤除噪声并减少发热，提高系统效率与可靠性。该电容器在100kHz下的典型ESR仅为25mΩ，远低于标准钽电容，使其特别适合用于大电流、低电压的电源轨旁路和输出滤波应用。此外，由于聚合物材料的热稳定性更好，其在高温环境下的性能衰减较小，寿命测试显示在满负荷工作条件下仍可在+105°C环境中持续运行2000小时以上。该器件还具备出色的纹波电流承受能力，能够在DC-DC转换器输出端稳定工作而不发生过热或退化。
　　另一个关键特性是其安全性和失效模式的改善。传统钽电容在过压、反向电压或浪涌电流冲击下可能发生热失控甚至起火，而聚合物钽电容由于导电聚合物的自愈合特性和较低的反应活性，大大降低了此类风险。这使得2R5TPD1000M5更适合用于高可靠性系统，如医疗设备、工业控制模块和通信基础设施。同时，其电容值随频率变化较小，在宽频范围内保持较高的有效电容，有利于动态负载响应。机械结构上，该器件采用坚固的表面贴装设计，兼容自动化贴片工艺和回流焊流程，适合大规模生产。整体而言，2R5TPD1000M5结合了高容量、低阻抗、长寿命和高安全性的特点，是现代高性能电源设计中的优选被动元件之一。

2R5TPD1000M5常用于需要高电容密度和低ESR的电源去耦和储能场景。典型应用包括便携式电子设备如智能手机、平板电脑和超极本中的CPU/GPU核心供电模块，作为DC-DC转换器的输入或输出滤波电容，有效抑制电压波动和噪声干扰。在通信设备中，该器件可用于基站电源、网络交换机和路由器的电源管理系统，确保信号链路的稳定供电。此外，在工业控制系统、嵌入式计算平台和汽车电子（非动力系统）中，该电容也广泛用于FPGA、ASIC和其他数字IC的旁路电路，以应对快速变化的瞬态电流需求。
　　由于其高可靠性和耐久性，2R5TPD1000M5也被用于医疗仪器、测试测量设备和航空航天电子系统中，特别是在空间受限但对性能要求严格的场合。其低剖面表面贴装封装便于PCB布局优化，有助于实现小型化设计。在电池供电系统中，该电容还能在主电源切换或瞬时掉电时提供短暂的能量支持，维持系统稳定运行。总之，任何需要在紧凑空间内实现高效能量存储与释放、且对长期稳定性有较高要求的应用，都是该型号的理想使用场景。

T54D107M2R5ATE065
　　T54D107M2R5A
　　KTM54D107M2R5ATE065