UT3055-TN3-R 时间：2025/12/27 7:53:30 阅读：6

UT3055-TN3-R是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压工艺技术制造，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要低导通电阻和快速开关响应的功率应用场合。该器件封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合空间受限的高密度PCB设计。UT3055-TN3-R以其优异的热稳定性和可靠性，在消费类电子产品、便携式设备以及工业控制领域得到了广泛应用。该MOSFET具备较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少驱动损耗并提升系统整体能效。此外，其引脚兼容主流小信号MOSFET，便于在现有设计中进行替换与升级。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代绿色电子产品的设计要求。得益于UTC在功率半导体领域的长期积累，UT3055-TN3-R在性能与成本之间实现了良好平衡，是中小功率开关电路中的理想选择之一。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：5.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：21A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：22mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：26mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　功耗（PD）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

特性

UT3055-TN3-R具有优异的导通特性和开关性能，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至22mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能量转换效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备和高效率DC-DC转换器中，能够有效减少发热，延长设备运行时间。同时，在VGS=4.5V时RDS(on)仅为26mΩ，说明该器件在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），典型值分别为8nC和500pF，这使得其在高频开关应用中表现出色。低输入电容意味着更小的驱动功率需求，从而降低了控制器的负担，并减少了开关过程中的动态损耗。结合快速的开关速度和18ns的体二极管反向恢复时间，UT3055-TN3-R能够在高频PWM控制中实现更高的响应精度和更低的电磁干扰（EMI），适用于同步整流、开关稳压器等对动态性能要求较高的电路。
　　在可靠性方面，UT3055-TN3-R具备高达150°C的最大工作结温，能够在高温环境下稳定运行，配合良好的散热设计可进一步提升功率处理能力。其-55°C至+150°C的工作温度范围覆盖了绝大多数工业与消费类应用场景。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗过压能力，增强了器件在瞬态工况下的鲁棒性。SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化的内部结构确保了良好的热传导性能，使该器件在有限空间内仍能实现可靠的热管理。

应用

UT3055-TN3-R广泛应用于各类中小型功率电子系统中。在电源管理领域，常用于同步整流型Buck、Boost及Buck-Boost转换器中作为主开关或整流开关，凭借其低RDS(on)和快速响应特性，显著提升转换效率，尤其在便携式设备如智能手机、平板电脑、移动电源等对能效和空间高度敏感的产品中表现突出。此外，该器件也适用于LED驱动电路，作为恒流调节或开关控制元件，提供稳定的电流输出和高效的能量利用。
　　在电机控制方面，UT3055-TN3-R可用于微型直流电机、步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用。其快速开关能力和良好的热稳定性保证了电机启停和平滑调速的可靠性，常见于玩具、小型家电、无人机舵机等轻载电机控制系统。同时，由于其SOT-23封装易于自动化贴装，适合大规模生产，因此在消费类电子批量产品中具有明显优势。
　　该器件还可用于负载开关、热插拔控制、电源多路复用等数字控制电路中，作为电子开关替代机械继电器，实现快速、无触点的电源通断控制。其低静态功耗和高集成度特点，使其成为智能穿戴设备、物联网终端等低功耗系统中的理想选择。此外，在电池管理系统（BMS）中也可用于充放电回路的通断控制，配合保护IC实现安全可靠的电池管理功能。