时间：2025/8/30 20:21:41
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2R3500T-8是一款功率MOSFET晶体管，通常用于高功率和高频应用。这款晶体管采用TO-220封装，具备良好的热性能和电气性能，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。
类型: N沟道MOSFET
漏极电流（ID）: 50A
漏极-源极电压（VDS）: 350V
栅极-源极电压（VGS）: ±20V
导通电阻（RDS(on)）: 0.085Ω
功率耗散（PD）: 150W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
2R3500T-8具有低导通电阻，能够有效减少导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高电压应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。此外，该器件的封装设计有助于散热，适合高功率密度设计。
该晶体管还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其高栅极电荷特性使其在高频率下工作时仍能保持较低的开关损耗。此外，2R3500T-8具有较强的抗过载能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，增强了系统的稳定性和可靠性。
2R3500T-8广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电设备和电机控制电路。在工业自动化领域，该晶体管可用于驱动大功率负载，如伺服电机和电磁阀。此外，它还可用于高频感应加热设备和LED照明驱动电路。
IRF350, IRFP460, STP35NF06L
