时间：2025/7/10 9:25:32
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GRT31MR61E155KE01L 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，支持高电流负载应用，并具备出色的热性能和可靠性，适用于工业级和消费级电子设备。
型号：GRT31MR61E155KE01L
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：155A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：275W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
GRT31MR61E155KE01L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频开关应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 支持大电流输出，适用于多种高功率应用场景。
GRT31MR61E155KE01L 可用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC转换器、DC-DC转换器。
2. 电机驱动，包括电动车驱动器、家用电器马达控制。
3. 工业自动化设备中的电源管理模块。
4. 太阳能逆变器及储能系统。
5. 各类高效能功率转换电路。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
GRT31MR61E150KE01L, IRF540N, FDP5500
