2R3000T-8是一款常用的功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用TO-220封装,具备较高的耐压能力和较大的工作电流承载能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及负载开关等多种应用场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):300V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A(@25℃)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃~150℃
封装形式:TO-220
2R3000T-8 MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其低导通电阻有助于降低导通损耗,提高电源转换效率;高开关速度使其适用于高频开关应用,减小电源系统的体积和重量;良好的热稳定性确保器件在高负载条件下仍能稳定运行,延长系统寿命。此外,该器件内置栅极保护二极管,提高了抗静电能力和可靠性。
该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性,适用于各种恶劣工作环境,包括高温、高湿度和高振动条件。同时,其TO-220封装便于散热设计,可通过加装散热片进一步提升散热性能,满足高功率密度应用的需求。
2R3000T-8常用于开关电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电池充电器、电机控制电路、工业自动化设备及家用电器等功率电子系统中。由于其高可靠性和优异的电气性能,也适用于对稳定性和效率要求较高的新能源设备,如光伏逆变器和风力发电变流器等。
K2647, 2SK2647, IRF840, FQP12N30