2QSP16RJ2104 是一款由 Vishay Semiconductor 推出的表面贴装 (SMD) 肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置。该器件专为高频开关应用设计,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适合用于高效能电源转换系统。其封装形式为 SOT-23(小型晶体管外形封装),体积小巧,适用于高密度印刷电路板布局。该型号中的 '2Q' 通常代表双通道配置,'SP' 指肖特基二极管,'16' 表示最大重复峰值反向电压为 16V,'RJ' 可能为产品系列代码,而 '2104' 为批次或生产代码的一部分。这款二极管广泛应用于便携式电子设备、DC-DC 转换器、极性保护电路以及信号整流等场景。由于其低功耗特性,2QSP16RJ2104 特别适用于对能效要求较高的电池供电设备。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,支持无铅焊接工艺,具备良好的热稳定性和长期可靠性。
类型:双共阴极肖特基二极管
封装/外壳:SOT-23
最大直流反向电压 (V_R):16 V
最大平均整流电流 (I_O):200 mA
峰值正向浪涌电流 (I_FSM):500 mA
最大正向电压 (V_F):420 mV @ 100 mA
最大反向漏电流 (I_R):10 μA @ 16 V
反向恢复时间 (t_rr):典型值 4 ns
工作结温范围 (T_J):-55°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
功率耗散 (P_D):300 mW
2QSP16RJ2104 具备优异的电气性能,尤其是在低电压应用场景下表现出色。其核心优势之一是低正向导通压降,在 100mA 工作电流下仅为 420mV,这显著降低了导通损耗,提高了电源系统的整体效率。这一特性在低压大电流的 DC-DC 转换器中尤为重要,例如用于 USB 电源管理或嵌入式处理器供电的同步整流电路。由于采用肖特基势垒技术,该器件不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短,典型值仅为 4ns,远优于传统 PN 结二极管。这种快速开关能力使其非常适合高频开关电源(如 Boost、Buck 和 SEPIC 转换器),可有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
该器件采用 SOT-23 小型化封装,不仅节省 PCB 空间,还具备良好的散热性能,能够在有限的空间内实现高效的热传导。SOT-23 封装广泛兼容自动化贴片工艺,适用于大规模表面贴装生产,提升了制造效率和产品一致性。此外,2QSP16RJ2104 的最大反向漏电流控制在 10μA 以内(在 16V 反向电压下),保证了在关断状态下的低静态功耗,有助于延长电池供电设备的续航时间。
从可靠性角度看,该二极管经过严格的质量控制流程,具备出色的温度稳定性,可在 -55°C 至 +125°C 的结温范围内稳定工作,适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。其存储温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,进一步增强了环境适应能力。器件符合 RoHS 和 REACH 环保指令,不含铅、镉等有害物质,支持绿色环保制造。同时,它通过了 MSL-1 湿度敏感等级认证,表明其在常温干燥环境下可长期储存而不影响焊接性能,无需烘烤处理即可直接进行回流焊。这些综合特性使 2QSP16RJ2104 成为高性能、小尺寸电源管理应用的理想选择。
2QSP16RJ2104 主要应用于需要高效能、小尺寸和快速响应的电子系统中。典型应用包括便携式消费电子产品中的 DC-DC 升压或降压转换器,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块。在这些设备中,该二极管常用于防止反向电流流动或作为续流二极管,确保能量转换效率最大化。此外,它也广泛用于 USB 供电路径中的极性保护和防反接电路,防止因电源反接导致后级电路损坏。
在电池管理系统(BMS)中,2QSP16RJ2104 可用于多个电池单元之间的均压电路或充放电路径控制,利用其低正向压降减少能量损耗,提升系统续航能力。在低电压逻辑电平转换电路中,该器件可用于信号隔离与钳位,防止高压信号串扰至低压侧芯片。由于其快速反向恢复特性,它也适用于高频开关电源拓扑结构,如反激式转换器、SEPIC 和 Cuk 拓扑中的输出整流环节。
工业控制领域中,该二极管可用于传感器信号调理电路中的保护元件,抑制瞬态电压冲击;在通信设备中,可用于 RF 功放模块的偏置电路或检波电路。此外,由于其小型封装特性,也非常适合用于空间受限的医疗电子设备、物联网终端节点和智能家居控制器等应用场合。总之,凡是需要低功耗、高速开关和紧凑布局的场景,2QSP16RJ2104 都是一个可靠且高效的解决方案。
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"BAS40-04W",
"PMGJ316UN,115",
"DMG2302UK-7",
"MBRS120T1G",
"SMS7621-4"
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