电容值：4700pF (4.7nF)
　　电容容差：±10%
　　额定电压：16V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：X7R（ΔC/C = ±15%）
　　封装尺寸：0805（公制2012）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　无铅状态：符合RoHS标准（LF标识）
　　介质材料：多层陶瓷（Class II, X7R）
　　失效率：低（非高可靠性军用等级）
　　最大厚度：约1.25mm
　　长度：约2.0mm
　　宽度：约1.25mm

2QSP16-RJ2-472LF所采用的X7R型陶瓷介质具有优异的温度稳定性和较高的体积效率，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%，这使其非常适合用于对温度波动敏感的应用环境。相较于Z5U或Y5V等其他二类陶瓷材料，X7R在介电常数随温度变化方面的表现更为平滑和可预测，从而提升了整个系统的稳定性与一致性。该电容器的结构设计基于多层堆叠技术，通过交替排列内电极与陶瓷介质层实现高电容密度，在有限的空间内提供较大的储能能力。其内部电极为非贵金属材料（如镍或铜），相比使用银钯等贵重金属的早期产品，显著降低了制造成本，同时仍保持良好的导电性和耐久性。端子部分采用镍阻挡层加锡镀层的设计，有效防止外部环境中的湿气和污染物侵入，避免因银离子迁移而导致短路等问题，同时也增强了焊接时的润湿性与连接可靠性。
　　该器件符合当前主流的无铅焊接工艺要求，可在回流焊过程中承受高达260°C的峰值温度而不损坏，适应现代SMT生产线的高温流程。由于其0805（2012）封装尺寸兼顾了手工维修便利性与高密度组装需求，因此在各类PCB布局中均表现出良好的兼容性。此外，2QSP16-RJ2-472LF具备较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），使其在中高频去耦应用中表现良好，能够有效抑制电源噪声并提升信号完整性。尽管它不适用于谐振电路等对精度要求极高的场景（因其属于二类陶瓷材料，存在一定的电压系数效应），但在大多数去耦、滤波和旁路任务中已足够胜任。长期使用下，该电容器表现出良好的老化特性，电容值衰减缓慢，保障了设备在整个生命周期内的稳定运行。

2QSP16-RJ2-472LF主要应用于需要稳定电容性能和较高工作温度范围的电子电路中。常见用途包括各类集成电路的电源去耦，特别是在微处理器、FPGA、ASIC和数字逻辑芯片的供电引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定电压，防止因瞬态电流变化引起的信号抖动或系统复位。此外，该电容器也广泛用于模拟前端电路中的耦合与旁路功能，例如在运算放大器、ADC/DAC转换器输入输出路径中作为交流信号通路的一部分，起到隔直传交的作用。在射频和无线通信模块中，它可以参与构建LC滤波网络或阻抗匹配电路，协助提升信号传输效率和抗干扰能力。
　　由于其具备良好的温度特性和可靠性，该器件也被广泛用于工业控制设备、汽车电子系统（如ECU、传感器接口、车载信息娱乐系统）以及医疗仪器等对长期稳定性有要求的领域。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、路由器和电源适配器中，2QSP16-RJ2-472LF常被用于DC-DC转换器的输入输出滤波环节，帮助平滑开关电源产生的纹波电压，提高电源质量。同时，得益于其符合RoHS标准的环保设计，该电容器适用于出口导向型产品，满足欧盟及其他地区对有害物质限制的法规要求。在自动化生产线上，其标准化的0805封装便于高速贴片机精确拾放，支持大批量、高良率的制造流程，降低整体生产成本。此外，该型号还可用于定时电路、振荡电路的辅助元件配置，以及作为EMI抑制元件配合磁珠构成π型滤波器，进一步增强系统的电磁兼容性。

GRM21BR71C472KA01L
　　CL21A472KBKNNNE
　　C2012X7R1C472K