类型：双肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-323 (SC-76)
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向电流（IF）：150mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　正向电压降（VF）：典型值0.35V @ 10mA，最大0.55V @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：最大1μA @ 25°C，VR=30V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 4ns
　　热阻（RθJA）：约450°C/W

2P-SVF 的核心特性之一是其采用肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，而非传统的PN结，从而显著降低了正向导通电压。这一特性使得器件在导通状态下功耗更低，特别适合电池供电的便携式设备，如智能手机、蓝牙耳机和可穿戴设备。其典型的正向压降仅为0.35V左右，在10mA工作电流下即可实现高效整流，远低于普通硅二极管的0.7V水平，有助于提升整体系统能效。同时，由于没有少子存储效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）不超过4纳秒，能够胜任高频开关应用，例如在开关电源（SMPS）中的续流与箝位电路。
　　另一个关键特性是其双二极管集成设计。2P-SVF 将两个独立的肖特基二极管集成于同一SOD-323封装中，节省了PCB布局空间，提高了组装密度。这种结构常用于双路信号整流、输入保护或逻辑电平转换电路中。例如，在USB接口或音频线路中，可用作双向静电放电（ESD）保护元件；在DC-DC转换器中，则可用于同步整流辅助路径或反馈回路中的隔离。此外，该器件的低寄生电容和快速响应能力也使其适用于高频检波和小信号解调场景，如射频识别（RFID）读写器或无线传感器节点。
　　2P-SVF 还具备良好的热稳定性和环境适应性。其工作结温可达+125°C，满足大多数工业与消费类产品的温度要求。封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊接工艺，便于自动化贴片生产。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是反向漏电流较高且随温度上升而增大，但2P-SVF 在设计上通过优化金属-半导体界面工艺，有效控制了漏电流水平，在室温下最大仅为1μA，即便在高温环境下也能保持相对稳定的性能表现。这使得它在长时间运行的嵌入式系统中表现出较高的可靠性。

2P-SVF 肖特基二极管广泛应用于多种电子系统中，尤其在需要高效、小型化和高频响应的场合表现突出。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能手表，2P-SVF 常被用作电池充电路径中的防反接二极管或电源切换开关，利用其低正向压降减少能量损耗，延长续航时间。在USB接口电路中，该器件可用于Vbus线路上的瞬态电压抑制和反向电流阻断，防止外部电源倒灌损坏内部电源管理单元。
　　在电源管理系统中，2P-SVF 经常出现在低压DC-DC转换器的续流路径中，作为续流二极管使用。由于其快速的反向恢复能力和低VF特性，能够显著降低开关损耗，提高转换效率，尤其是在轻负载条件下优势更为明显。此外，在LDO稳压器的输出端或使能控制线路中，也可利用其单向导通特性实现电源顺序控制或防止反向放电。
　　通信与信号处理领域也是2P-SVF 的重要应用场景。例如，在无线模块（如Wi-Fi、Zigbee、LoRa）的射频前端电路中，可用于小信号检波或包络检测；在音频编解码器的输入/输出通道中，可作为直流偏置隔离或过压保护元件。其双二极管结构还适用于差分信号路径中的钳位保护，防止因静电或浪涌导致芯片损坏。
　　工业控制与汽车电子中，2P-SVF 可用于传感器信号调理电路中的整流与保护，特别是在低电压、微功率传感系统中，其低功耗特性尤为关键。此外，在电机驱动电路或继电器控制回路中，也可作为感应电动势的泄放路径，抑制电压尖峰，保护开关晶体管。

[
　　 "RB751S-40",
　　 "RB751V-40",
　　 "BAT54S",
　　 "MBRS130LT1G",
　　 "PMX150U-A1"
　　]