类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大）
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-204AA（金属罐封装）

2N990A MOSFET具有多个显著特性，使其适用于各种高功率电子应用。首先，其100V的漏源击穿电压（VDS）允许该器件用于中高压电源系统中，如开关电源和逆变器。其次，其导通电阻（RDS(on)）最大为0.25Ω，这意味着在导通状态下，器件的功耗相对较低，有助于提高整体系统的效率。
　　此外，2N990A的封装形式为TO-204AA，这是一种金属罐封装，具有良好的热传导性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。这种封装也有助于提高器件的机械强度和耐久性。
　　该器件的最大漏极电流为4A，适用于中等功率的开关应用。其最大功耗为50W，表明其能够在较高功率水平下运行，但需要适当的散热措施以避免过热损坏。2N990A的工作温度范围为-55°C至+150°C，这使其能够在各种环境条件下可靠运行，包括工业控制和汽车电子应用中的极端温度环境。
　　此外，2N990A的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压为±20V，这使得它可以与多种驱动电路兼容，提高了其在不同系统中的适用性。由于其为早期MOSFET型号，可能在某些现代设计中被更高性能的器件替代，但在某些特定应用中，其可靠性和稳定性仍然具有吸引力。

2N990A广泛应用于多种高电压和高电流的电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS），其中该器件用于高效地转换和调节电能。此外，它也常用于直流-直流转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，以实现不同电压级别的转换。
　　在电机控制应用中，2N990A可用于驱动直流电机或步进电机，特别是在需要中等功率控制的场合，如工业自动化设备和电动工具。它还可以用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，应用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变系统。
　　由于其良好的热稳定性和高耐压特性，2N990A也适用于高可靠性系统，如汽车电子设备、工业控制系统和测试测量仪器。此外，它还可以用于电池充电器、电焊设备和电感负载驱动电路等应用领域。

2N990, 2N991, IRF510, IRF530